| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 MOSFET及其集成电路概况 | 第11-14页 |
| 1.2 MOSFET等比缩小所面临的问题和解决方案 | 第14-18页 |
| 1.3 III-V族化合物半导体MOSFET的研究意义 | 第18页 |
| 1.4 GaAs MOS器件栅介质及其界面特性研究概况 | 第18-30页 |
| 1.5 (In)GaAs MOS氧化物陷阱电容效应研究概况 | 第30-33页 |
| 1.6 本文的主要工作及内容安排 | 第33-35页 |
| 2 高k栅介质GaAs MOS器件制备工艺及测试方法 | 第35-44页 |
| 2.1 高尼栅介质GaAs MOS器件的制备工艺 | 第35-38页 |
| 2.2 高尼栅介质MOS器件的界面特性表征 | 第38-40页 |
| 2.3 高尼栅介质MOS器件的电特性表征 | 第40-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 La基界面钝化层对ZrON/GaAs界面特性改善的研究 | 第44-60页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 ZrON/LaGeON/GaAs MOS器件的制备与电特性 | 第45-50页 |
| 3.3 ZrON/LaSiON/GaAs MOS器件的制备与电特性 | 第50-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 4 La基高k层及界面钝化层GaAs MOS界面特性的研究 | 第60-68页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 LaTiON/LaON/GaAs MOS器件的制备与电特性 | 第61-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 Zr基高k层及界面钝化层GaAs MOS界面特性的研究 | 第68-84页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 ZrTiON/ZrAlON/GaAs MOS器件的制备与电特性 | 第69-75页 |
| 5.3 ZrTiON/ZrLaON/GaAs MOS器件的制备与电特性 | 第75-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 5.5 全文实验工作总结 | 第82-84页 |
| 6 (In)GaAs MOS氧化物陷阱电容效应研究 | 第84-101页 |
| 6.1 引言 | 第84页 |
| 6.2 氧化物陷阱电容模型建立 | 第84-86页 |
| 6.3 界面近似并联方式 | 第86-88页 |
| 6.4 均匀分布并联方式 | 第88-98页 |
| 6.5 两种并联方式对比 | 第98-99页 |
| 6.6 本章小结 | 第99-101页 |
| 7 总结与展望 | 第101-106页 |
| 7.1 工作总结与创新点 | 第101-104页 |
| 7.2 工作展望 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-125页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第125-126页 |
