| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 碳化硅的材料特性简介 | 第9-11页 |
| 1.3 碳化硅MOSFET器件发展概况 | 第11-14页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第14-15页 |
| 第2章 SiO_2/4H-SiC界面态优化研究 | 第15-29页 |
| 2.1 SiO_2/4H-SiC界面态的影响 | 第15-17页 |
| 2.1.1 界面态的来源 | 第15-17页 |
| 2.1.2 界面态密度的降低方法 | 第17页 |
| 2.2 SiO_2/4H-SiC界面态表征及处理结果 | 第17-27页 |
| 2.2.1 界面态密度计算方法 | 第17-21页 |
| 2.2.2 SiCMOS电容制备工艺 | 第21-23页 |
| 2.2.3 SiO_2/4H-SiC界面态测试及计算 | 第23-27页 |
| 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 4H-SiC VDMOSFET制备关键工艺 | 第29-45页 |
| 3.1 4H-SiC离子注入工艺 | 第29-32页 |
| 3.1.1 SiC离子注入简介 | 第29-30页 |
| 3.1.2 4H-SiC离子注入仿真 | 第30-32页 |
| 3.2 4H-SiC欧姆接触工艺 | 第32-40页 |
| 3.2.1 欧姆接触理论基础 | 第32-35页 |
| 3.2.2 欧姆接触实验 | 第35-39页 |
| 3.2.3 欧姆合金自对准工艺 | 第39-40页 |
| 3.3 多晶硅工艺 | 第40-44页 |
| 3.3.1 多晶硅简介 | 第40-41页 |
| 3.3.2 多晶硅欧姆合金和方块电阻 | 第41-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 600V 4H-SiC VDMOSFET晶体管制备和测试 | 第45-61页 |
| 4.1 600V4H-SiC VDMOSFET结构设计 | 第45-50页 |
| 4.2 600V4H-SiC VDMOSFET晶体管制备 | 第50-55页 |
| 4.3 4H-SiC VDMOSFET晶体管电学特性 | 第55-59页 |
| 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
