| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 金刚石的结构特征、性质及应用 | 第16-19页 |
| 1.1.1 金刚石的原子结构 | 第16页 |
| 1.1.2 金刚石的物理特性 | 第16-18页 |
| 1.1.3 金刚石的电学特性 | 第18-19页 |
| 1.2 金刚石基电子器件的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.2.1 金刚石基电子器件的分类 | 第19-20页 |
| 1.2.2 氢终端沟道的形成机理 | 第20-21页 |
| 1.2.3 氢终端金刚石器件的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3 金刚石薄膜材料的应用 | 第22-23页 |
| 1.4 本文研究内容及安排 | 第23-24页 |
| 第二章 人工合成金刚石材料的理论 | 第24-32页 |
| 2.1 人工合成金刚石材料的发展 | 第24-25页 |
| 2.2 金刚石薄膜低气压沉积反应理论模型 | 第25-26页 |
| 2.2.1 原子氢择优刻蚀模型 | 第25页 |
| 2.2.2 动力学控制模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 表面反应模型 | 第26页 |
| 2.2.4 准平衡模型 | 第26页 |
| 2.3 金刚石非平衡热力学理论 | 第26-28页 |
| 2.4 CVD金刚石的主要制备方法 | 第28-31页 |
| 2.4.1 热丝CVD法 | 第29页 |
| 2.4.2 直流等离子体喷射CVD法 | 第29-30页 |
| 2.4.3 微波等离子体CVD法 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 多晶金刚石材料生长及表征研究 | 第32-52页 |
| 3.1 多晶金刚石薄膜生长 | 第32-34页 |
| 3.1.1 多晶金刚石薄膜的生长步骤 | 第32-33页 |
| 3.1.2 纳米晶金刚石薄膜的生长 | 第33-34页 |
| 3.2 甲烷浓度对多晶金刚石薄膜的影响 | 第34-41页 |
| 3.2.1 拉曼光谱分析 | 第34-36页 |
| 3.2.2 XRD测试 | 第36-39页 |
| 3.2.3 AFM测试 | 第39-41页 |
| 3.3 氩气对于多晶金刚石薄膜的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 多晶金刚石与氧化铝(Al_2O_3)及氧化钼(MoO_3)的带阶分析 | 第43-50页 |
| 3.4.1 XPS测试原理 | 第43-44页 |
| 3.4.2 多晶金刚石的XPS测试结果 | 第44-45页 |
| 3.4.3 多晶金刚石与Al_2O_3及MoO_3的带阶计算 | 第45-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 金刚石MOSFET器件特性研究 | 第52-66页 |
| 4.1 金刚石MOSFET器件制备 | 第52-55页 |
| 4.1.1 多晶金刚石氢终端处理 | 第52页 |
| 4.1.2 源漏电极欧姆接触 | 第52-54页 |
| 4.1.3 器件隔离及MOS栅制备 | 第54页 |
| 4.1.4 多晶金刚石器件制备流程 | 第54-55页 |
| 4.2 栅介质为200℃Al_2O_3的金刚石MOSFET | 第55-60页 |
| 4.3 栅介质为300℃Al_2O_3的金刚石MOSFET | 第60-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
