| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 RF LDMOS器件的诞生和发展 | 第9-10页 |
| 1.2 我国开展RF LDMOS器件研究的意义 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 RF LDMOS器件基本结构与特性研究 | 第12-33页 |
| 2.1 RF LDMOS器件基本结构 | 第12-14页 |
| 2.2 L波段RF LDMOS器件结构特点 | 第14-15页 |
| 2.3 RF LDMOS器件特性研究 | 第15-32页 |
| 2.3.1 器件的阈值电压和转移特性 | 第16-19页 |
| 2.3.2 器件的输出特性 | 第19-22页 |
| 2.3.3 器件的击穿特性 | 第22-28页 |
| 2.3.4 器件的频率特性 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 RF LDMOS器件制造与测试分析 | 第33-49页 |
| 3.1 器件版图设计 | 第33-36页 |
| 3.2 器件工艺流程设计 | 第36-37页 |
| 3.3 器件直流特性测试 | 第37-41页 |
| 3.4 器件频率特性测试 | 第41-42页 |
| 3.5 负载牵引测试 | 第42-43页 |
| 3.6 传输线脉冲测试 | 第43-44页 |
| 3.7 封装器件测试 | 第44-45页 |
| 3.8 ESD器件测试 | 第45-48页 |
| 3.8.1 ESD器件简介 | 第45页 |
| 3.8.2 ESD保护机理 | 第45-46页 |
| 3.8.3 ESD器件测试结果 | 第46-48页 |
| 3.9 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 RF LDMOS器件模型建立的基本理论探究与实践 | 第49-66页 |
| 4.1 RF LDMOS器件的小信号等效电路 | 第49-50页 |
| 4.2 小信号等效电路中各元件的提取 | 第50-60页 |
| 4.2.1 寄生电容的提取 | 第50-53页 |
| 4.2.2 寄生电感的提取 | 第53-56页 |
| 4.2.3 寄生电阻的提取 | 第56-57页 |
| 4.2.4 本征元件的提取 | 第57-60页 |
| 4.3 小信号等效电路各元件参数的优化 | 第60-61页 |
| 4.4 RF LDMOS大信号非线性建模探究 | 第61-65页 |
| 4.4.1 器件大信号非线性等效电路 | 第61-62页 |
| 4.4.2 器件直流特性和电容模型 | 第62-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |