| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 选题依据和研究意义 | 第14-15页 |
| 1.2 RF- LDMOS器件的结构特点与性能优势 | 第15-17页 |
| 1.3 内匹配元件及电路结构 | 第17-18页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文工作安排 | 第19-20页 |
| 第二章 S参数理论 | 第20-31页 |
| 2.1 S参数 | 第20-23页 |
| 2.2 S参数测量 | 第23-24页 |
| 2.3 MOSFET小信号等效电路模型 | 第24-28页 |
| 2.3.1 提取寄生参数R_g、R_s和R_d | 第25-26页 |
| 2.3.2 提取衬底网络参数C_(sub)和R_(sub) | 第26-27页 |
| 2.3.3 提取本征参数 | 第27-28页 |
| 2.4 射频MOSFET大信号等效电路模型 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 阻抗匹配理论 | 第31-48页 |
| 3.1 阻抗匹配网络 | 第31-36页 |
| 3.1.1 阻抗匹配网络的宽带 | 第32-34页 |
| 3.1.2 电抗性负载阻抗匹配网络 | 第34-36页 |
| 3.1.2.1 低通原型 | 第34-35页 |
| 3.1.2.2 窄带带通阻抗匹配网络 | 第35页 |
| 3.1.2.3 宽带带通阻抗匹配网络 | 第35-36页 |
| 3.2 内匹配网络设计方案 | 第36-38页 |
| 3.2.1 Shunt L-C型 | 第36-37页 |
| 3.2.2 T和 π 型匹配网络 | 第37-38页 |
| 3.2.3 L-R-L-C-L型匹配网络 | 第38页 |
| 3.3 T型匹配网络 | 第38-44页 |
| 3.3.1 T型网络的分析 | 第38-40页 |
| 3.3.2 网络特性 | 第40-42页 |
| 3.3.3 ω 型可移通带电路 | 第42-44页 |
| 3.4 功率放大器稳定性 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 封装管壳和内匹配元件仿真分析 | 第48-65页 |
| 4.1 封装管壳 | 第49-55页 |
| 4.1.1 封装管壳材料选择 | 第49-51页 |
| 4.1.2 封装管壳分析 | 第51-55页 |
| 4.2 键合引线 | 第55-63页 |
| 4.2.1 键合引线电阻 | 第56-57页 |
| 4.2.2 键合引线电感、电容 | 第57-61页 |
| 4.2.3 键合引线电感值影响因素 | 第61-63页 |
| 4.3 MOS电容 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 内匹配RF-LDMOS设计 | 第65-82页 |
| 5.1 管芯S参数提取 | 第65-68页 |
| 5.2 单胞RF-LDMOS放大器设计 | 第68-77页 |
| 5.2.1 确定单胞RF-LDMOS放大器内匹配网络和元件值 | 第68-70页 |
| 5.2.2 HFSS仿真内匹配元件值 | 第70-72页 |
| 5.2.2.1 0.275nH键合引线 | 第70-71页 |
| 5.5.2.2 15.5pF MOS电容 | 第71-72页 |
| 5.2.3 HFSS和Ansoft Designer协同仿真 | 第72-74页 |
| 5.2.4 单胞RF-LDMOS实物测试 | 第74-77页 |
| 5.3 双胞RF-LDMOS放大器 | 第77-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 总结与展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第89-90页 |
