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金刚石薄膜的高速生长工艺研究
硅（001）表面上硅化铒纳米结构的扫描隧道电子显微镜研究
新结构SOI材料与器件物理研究
厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
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SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
MEMS中多孔硅基本特性及绝热性能研究
体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索
Φ200mm低氧碳CZSi单晶的制备及计算机数值模拟
大直径CZ硅单晶中流动图形缺陷（FPDs）的研究
水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究
氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究
掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究
快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
空位对直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用
普通和掺氮的重掺砷直拉硅单晶的氧沉淀行为
直拉硅单晶中氧沉淀的熟化
石墨电极下多孔硅的蓝光发射研究
金属诱导结晶硅及其应用
氮离子注入单晶硅的性能研究
电子辐照直拉硅中氧相关缺陷的研究
金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光
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硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究
单晶硅中氧和碳的分布及控制方法
应变硅载流子迁移率增强机理及模型研究
石墨微结构磁电效应及甚小电阻信号读取
多晶硅刻蚀特性的研究
用于二次电子发射阴极材料的金刚石薄膜的制备及性能研究
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CVD金刚石薄膜表面的卤素修饰研究
掺硼金刚石薄膜的制备及其电学性质的研究
高能粒子辐照单晶硅辐照效应的研究
双槽电化学腐蚀制备多孔硅及其发光性能研究
硅熔化与快速凝固过程的模拟研究
多孔硅微结构与应用研究
快速热处理对掺锗直拉单晶硅的影响
基于飞秒激光二次谐波产生技术探测硅表面双轴应变的研究
应变Si载流子散射机制及特性研究
硅材料抗辐射能力噪声评价技术研究
压头曲率半径对单晶硅和氮化碳薄膜径向纳动损伤的影响
高温氩退火对提高硅片质量的研究
300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的数值分析
元素半导体硅和锗材料的熔体结构研究
硅材料应力引入技术的研究
利用工艺诱生应变技术制备应变硅材料
黑硅材料的制备及特性研究
铜和银在锗单晶中的电学行为研究
超低表面反射率单晶硅片制备方法的研究
电子束熔炼冶金硅中杂质蒸发行为研究
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