| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·基本概念 | 第10-17页 |
| ·SOI | 第10-12页 |
| ·SiGe | 第12-15页 |
| ·Strained silicon | 第15-17页 |
| ·SOI衬底上SiGe以及SGOI材料 | 第17-20页 |
| ·绝缘体上应变硅(Strained silicon on insulator) | 第20-21页 |
| ·本论文工作 | 第21-22页 |
| 第二章 Ramao光谱分析应力的方法 | 第22-32页 |
| ·Raman光谱简介 | 第22-23页 |
| ·Raman光谱基本原理 | 第23-24页 |
| ·Raman光谱应力测量 | 第24-26页 |
| ·外延层薄膜中自建内应力 | 第24-25页 |
| ·多元相结构膜中的应力 | 第25-26页 |
| ·张、压应力的Raman监测 | 第26页 |
| ·SiGe薄膜中应力的Raman检测 | 第26-29页 |
| ·SiGe薄膜的Raman频移与应变和组分的关系 | 第29-32页 |
| 第三章 SiGe on SOI材料应变弛豫的研究 | 第32-64页 |
| ·SiGe弛豫模型 | 第32-38页 |
| ·滑移模型 | 第33-35页 |
| ·位错移动模型 | 第35-37页 |
| ·两个模型共同之处和分歧 | 第37-38页 |
| ·氧化条件下SiGe on SOI应力弛豫的研究 | 第38-46页 |
| ·SiGe薄膜制备以及氧化 | 第38-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·离子注入条件下SiGe on SOI应力弛豫研究 | 第46-56页 |
| ·实验条件 | 第46-49页 |
| ·结果与分析 | 第49-56页 |
| ·注N+离子结果分析 | 第49-54页 |
| ·注Ar+离子结果分析 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·SiGe on SOI薄膜弛豫的理论解释 | 第56-61页 |
| ·第三章小结 | 第61-64页 |
| 第四章 Strained Silicon on Insulator材料制备 | 第64-90页 |
| ·Strained Silicon材料 | 第64-74页 |
| ·Strained Silicon材料优越性 | 第64-68页 |
| ·Strained Silicon材料发展历程 | 第68-71页 |
| ·国际上对Strained-Si的研究 | 第71页 |
| ·常规制备方法 | 第71-72页 |
| ·Strained Silicon材料面临的问题 | 第72-74页 |
| ·应力转移法制备Strained Silicon | 第74-81页 |
| ·原理 | 第74-75页 |
| ·实验方法 | 第75-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-81页 |
| ·工艺优化初步 | 第81-87页 |
| ·不同能量N~+离子注入比较 | 第81-84页 |
| ·Ar+离子注入 | 第84-87页 |
| ·结论 | 第87-90页 |
| 第五章 CeO_2薄膜外延制备 | 第90-100页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·实验 | 第90-92页 |
| ·结果和讨论 | 第92-98页 |
| ·结论 | 第98-100页 |
| 第六章 结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-114页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 个人简历 | 第118-120页 |
| 学位论文独创性声明 | 第120页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第120页 |
