中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-38页 |
·引言 | 第9-11页 |
·直拉硅单晶中的氧 | 第11-13页 |
·硅中氧的引入 | 第11页 |
·直拉硅单晶中氧的基本性质 | 第11-13页 |
·直拉硅单晶中空位的基本性质 | 第13-15页 |
·直拉硅单晶中的热施主 | 第15-16页 |
·直拉硅单晶中的氧沉淀 | 第16-24页 |
·氧沉淀对硅材料和器件的影响 | 第16-17页 |
·氧沉淀的形核 | 第17页 |
·氧沉淀的长大 | 第17-20页 |
·影响氧沉淀的因素 | 第20-22页 |
·氧沉淀的热处理性质 | 第22-23页 |
·氧沉淀诱生缺陷 | 第23-24页 |
·单晶硅中的氮 | 第24-27页 |
·硅中氮的引入 | 第24页 |
·氮氧复合体 | 第24-26页 |
·氮氧复合体的结构 | 第26-27页 |
·单晶硅的内吸杂工艺 | 第27-30页 |
·传统的内吸杂工艺 | 第27-29页 |
·结合 RTP 的内吸杂工艺 | 第29-30页 |
·掺氮硅片的内吸杂 | 第30页 |
·单晶硅的辐照效应 | 第30-37页 |
·辐射环境 | 第31页 |
·辐射类型 | 第31-32页 |
·单晶硅的辐照机理 | 第32-34页 |
·辐照缺陷 | 第34-37页 |
·本文的主要研究内容 | 第37-38页 |
第二章 样品制备和研究方法 | 第38-43页 |
·样品制备 | 第38-39页 |
·快中子辐照 | 第38-39页 |
·电子辐照 | 第39页 |
·研究方法 | 第39-43页 |
·退火工艺 | 第39-40页 |
·主要测试方法和设备 | 第40-43页 |
第三章 单晶硅的快中子辐照效应研究 | 第43-82页 |
·快中子辐照直拉硅的电学性能研究 | 第43-49页 |
·退火温度对电阻率的影响 | 第43-47页 |
·预处理对热施主生成的影响 | 第47-49页 |
·快中子辐照单晶硅中空位、氧相关缺陷的研究 | 第49-64页 |
·快中子辐照硅中VO 缺陷的研究 | 第50-56页 |
·快中子辐照硅中VO_2缺陷的研究 | 第56-60页 |
·快中子辐照硅中 V_2 缺陷的研究 | 第60-64页 |
·快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的研究 | 第64-80页 |
·快中子辐照硅中氧沉淀的红外光谱研究 | 第66-70页 |
·快中子辐照硅中氧沉淀及诱生缺陷的形貌研究 | 第70-76页 |
·快速热处理对氧沉淀的影响 | 第76-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
第四章 掺氮硅的快中子辐照效应研究 | 第82-95页 |
·引言 | 第82-83页 |
·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的 FTIR 研究 | 第83-89页 |
·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的常温红外光谱研究 | 第83-85页 |
·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的低温红外光谱研究 | 第85-87页 |
·辐照样品退火处理后体缺陷研究 | 第87-89页 |
·快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响 | 第89-93页 |
·RTP 对不同辐照剂量样品间隙含量的影响 | 第90-92页 |
·RTP 对快中子辐照掺氮直拉硅中清洁区宽度的影响 | 第92-93页 |
·本章小结 | 第93-95页 |
第五章 电子辐照单晶硅辐照效应的初步研究 | 第95-115页 |
·引言 | 第95-96页 |
·电子辐照直拉硅中的空位、氧及相关缺陷 | 第96-102页 |
·电子辐照后硅中VO 的研究 | 第96-99页 |
·电子辐照后硅中VO_2的研究 | 第99-102页 |
·电子辐照对直拉硅电学性能的影响 | 第102-107页 |
·退火条件对样品电学参数的影响 | 第102-103页 |
·辐照施主浓度随750℃退火时间的变化 | 第103-105页 |
·650 ℃预处理对辐照施主的影响 | 第105-107页 |
·电子辐照直拉硅中缺陷与氧的相互作用 | 第107-114页 |
·退火温度对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响 | 第108-110页 |
·RTP 对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响 | 第110-114页 |
·本章小结 | 第114-115页 |
第六章 结论 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-124页 |
致谢 | 第124-125页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第125-126页 |