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高能粒子辐照单晶硅辐照效应的研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-9页
第一章 绪论第9-38页
   ·引言第9-11页
   ·直拉硅单晶中的氧第11-13页
     ·硅中氧的引入第11页
     ·直拉硅单晶中氧的基本性质第11-13页
   ·直拉硅单晶中空位的基本性质第13-15页
   ·直拉硅单晶中的热施主第15-16页
   ·直拉硅单晶中的氧沉淀第16-24页
     ·氧沉淀对硅材料和器件的影响第16-17页
     ·氧沉淀的形核第17页
     ·氧沉淀的长大第17-20页
     ·影响氧沉淀的因素第20-22页
     ·氧沉淀的热处理性质第22-23页
     ·氧沉淀诱生缺陷第23-24页
   ·单晶硅中的氮第24-27页
     ·硅中氮的引入第24页
     ·氮氧复合体第24-26页
     ·氮氧复合体的结构第26-27页
   ·单晶硅的内吸杂工艺第27-30页
     ·传统的内吸杂工艺第27-29页
     ·结合 RTP 的内吸杂工艺第29-30页
     ·掺氮硅片的内吸杂第30页
   ·单晶硅的辐照效应第30-37页
     ·辐射环境第31页
     ·辐射类型第31-32页
     ·单晶硅的辐照机理第32-34页
     ·辐照缺陷第34-37页
   ·本文的主要研究内容第37-38页
第二章 样品制备和研究方法第38-43页
   ·样品制备第38-39页
     ·快中子辐照第38-39页
     ·电子辐照第39页
   ·研究方法第39-43页
     ·退火工艺第39-40页
     ·主要测试方法和设备第40-43页
第三章 单晶硅的快中子辐照效应研究第43-82页
   ·快中子辐照直拉硅的电学性能研究第43-49页
     ·退火温度对电阻率的影响第43-47页
     ·预处理对热施主生成的影响第47-49页
   ·快中子辐照单晶硅中空位、氧相关缺陷的研究第49-64页
     ·快中子辐照硅中VO 缺陷的研究第50-56页
     ·快中子辐照硅中VO_2缺陷的研究第56-60页
     ·快中子辐照硅中 V_2 缺陷的研究第60-64页
   ·快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的研究第64-80页
     ·快中子辐照硅中氧沉淀的红外光谱研究第66-70页
     ·快中子辐照硅中氧沉淀及诱生缺陷的形貌研究第70-76页
     ·快速热处理对氧沉淀的影响第76-80页
   ·本章小结第80-82页
第四章 掺氮硅的快中子辐照效应研究第82-95页
   ·引言第82-83页
   ·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的 FTIR 研究第83-89页
     ·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的常温红外光谱研究第83-85页
     ·快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的低温红外光谱研究第85-87页
     ·辐照样品退火处理后体缺陷研究第87-89页
   ·快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响第89-93页
     ·RTP 对不同辐照剂量样品间隙含量的影响第90-92页
     ·RTP 对快中子辐照掺氮直拉硅中清洁区宽度的影响第92-93页
   ·本章小结第93-95页
第五章 电子辐照单晶硅辐照效应的初步研究第95-115页
   ·引言第95-96页
   ·电子辐照直拉硅中的空位、氧及相关缺陷第96-102页
     ·电子辐照后硅中VO 的研究第96-99页
     ·电子辐照后硅中VO_2的研究第99-102页
   ·电子辐照对直拉硅电学性能的影响第102-107页
     ·退火条件对样品电学参数的影响第102-103页
     ·辐照施主浓度随750℃退火时间的变化第103-105页
     ·650 ℃预处理对辐照施主的影响第105-107页
   ·电子辐照直拉硅中缺陷与氧的相互作用第107-114页
     ·退火温度对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响第108-110页
     ·RTP 对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响第110-114页
   ·本章小结第114-115页
第六章 结论第115-116页
参考文献第116-124页
致谢第124-125页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第125-126页

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