| 致谢 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-36页 |
| 1．1 引言 | 第12-13页 |
| 1．2 SOI技术的发展 | 第13-14页 |
| 1．3 SOI材料制备技术 | 第14-22页 |
| 1．4 SOI材料质量表征技术简介 | 第22-23页 |
| 1．5 SOI技术的应用 | 第23-28页 |
| 1．6 SOI材料的市场需求 | 第28-31页 |
| 1．7 SOI技术国内发展状况 | 第31-32页 |
| 1．8 本论文工作 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第二章 水等离子体离子注入形成SOI结构材料 | 第36-57页 |
| 2．1 引言 | 第36-38页 |
| 2．2 水等离子体离子注入代替氧离子注入的原因 | 第38-40页 |
| 2．3 离子注入机描述 | 第40-41页 |
| 2．4 实验方法 | 第41-42页 |
| 2．5 水等离子体离子注入形成SOI结构 | 第42-52页 |
| 2．6 氧离子注入样品结果与分析 | 第52-55页 |
| 2．7 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 SOI结构与离子注入剂量的关系 | 第57-73页 |
| 3．1 引言 | 第57页 |
| 3．2 实验方法 | 第57-58页 |
| 3．3 结果与分析 | 第58-69页 |
| 3．3．1 原注入及退火样品的SIMS结果 | 第58-59页 |
| 3．3．2 退火样品的XTEM结果 | 第59-62页 |
| 3．3．3 与传统SIMOX-SOI对比分析 | 第62-65页 |
| 3．3．4 原注入样品的XTEM结果 | 第65-67页 |
| 3．3．5 不同剂量样品的IR反射谱和Raman谱分析 | 第67-69页 |
| 3．4 本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 注入离子能量对SOI结构的影响 | 第73-84页 |
| 4．1 引言 | 第73页 |
| 4．2 实验方法 | 第73页 |
| 4．3 结果与分析 | 第73-81页 |
| 4．3．1 退火样品的XTEM结果 | 第73-75页 |
| 4．3．2 传统低剂量SIMOX退火样品结果对比 | 第75-77页 |
| 4．3．3 原注入样品的XTEM结果 | 第77-79页 |
| 4．3．4 原注入和退火样品的SIMS结果 | 第79-80页 |
| 4．3．5 注入能量与注入剂量的匹配 | 第80-81页 |
| 4．4 本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第五章 水等离子体离子注入形成SOI材料中埋层的展宽现象 | 第84-100页 |
| 5．1 引言 | 第84-85页 |
| 5．2 实验方法 | 第85-86页 |
| 5．3 结果与分析 | 第86-97页 |
| 5．3．1 水等离子体离子注入方式形成SOI材料的埋层层宽现象 | 第86-88页 |
| 5．3．2 水等离子体离子注入TRIM模拟 | 第88-89页 |
| 5．3．3 退火气氛的影响 | 第89-91页 |
| 5．3．4 原注入样品中氢的分布 | 第91-95页 |
| 5．3．5 埋层展宽原因讨论 | 第95-97页 |
| 5．4 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第六章 离子注入及退火温度对形成SOI材料的影响 | 第100-119页 |
| 6．1 引言 | 第100-101页 |
| 6．2 实验方法 | 第101页 |
| 6．3 结果与分析 | 第101-116页 |
| 6．3．1 注入基底温度对SOI结构的影响 | 第101-108页 |
| 6．3．2 退火温度对SOI结构的影响 | 第108-112页 |
| 6．3．3 退火过程中SOI结构的形成机制讨论 | 第112-116页 |
| 6．4 本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第七章 结论 | 第119-121页 |
| 攻读博士学位期间发表文章目录 | 第121-124页 |
| 作者简历 | 第124页 |
