黑硅材料的制备及特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·黑硅的发现 | 第11-12页 |
| ·黑硅的各种优异性能 | 第12-14页 |
| ·宽光谱的高吸收率 | 第12-13页 |
| ·具有良好的场致发射特性 | 第13-14页 |
| ·发光特性 | 第14页 |
| ·辐射太赫兹特性 | 第14页 |
| ·黑硅发展前景 | 第14-15页 |
| ·国内外研究黑硅的进展和现状 | 第15页 |
| ·目前制备黑硅的几种方法的优劣势比较 | 第15-22页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第16-18页 |
| ·水热腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·飞秒激光照射法 | 第19-20页 |
| ·湿法腐蚀 | 第20-22页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第22-23页 |
| 第二章 湿法刻蚀工艺原理介绍 | 第23-33页 |
| ·硅材料的性能介绍 | 第23页 |
| ·硅的湿法腐蚀原理 | 第23-33页 |
| ·湿法腐蚀技术介绍 | 第23-26页 |
| ·各向同性腐蚀 | 第24-25页 |
| ·各向异性腐蚀 | 第25-26页 |
| ·腐蚀机理模型 | 第26-30页 |
| ·硅腐蚀中主要晶面的原子分布 | 第30-33页 |
| 第三章 黑硅材料的制备 | 第33-44页 |
| ·Si_3N_4 掩模层的制备 | 第33-41页 |
| ·实验设备及材料 | 第33-34页 |
| ·光刻流程 | 第34-36页 |
| ·基体材料的选择 | 第35页 |
| ·掩模版图形设计 | 第35页 |
| ·硅基片的清洗处理 | 第35-36页 |
| ·Si_3N_4 掩模层的制备工艺 | 第36-41页 |
| ·Si_3N_4 的性能概述 | 第36页 |
| ·PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）简介 | 第36-38页 |
| ·PECVD 方法沉淀Si_3N_4 的原理 | 第38-39页 |
| ·Si 晶片的光刻工艺 | 第39页 |
| ·Si 晶片的光刻步骤 | 第39-41页 |
| ·硅尖锥阵列的湿法刻蚀 | 第41-43页 |
| ·实验仪器及药品 | 第41-42页 |
| ·实验样品准备 | 第42页 |
| ·硅基片的碱刻蚀 | 第42-43页 |
| ·硅基片的酸刻蚀 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 黑硅表面形貌、光学性能表征及分析 | 第44-63页 |
| ·黑硅的宏观形貌 | 第44页 |
| ·碱腐蚀过程中不同因素对形貌的影响 | 第44-50页 |
| ·不同掩模尺寸的影响 | 第44-46页 |
| ·KOH 溶液浓度的影响 | 第46-47页 |
| ·温度的影响 | 第47-48页 |
| ·时间对形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·KOH 腐蚀后的黑硅样品的光吸收特性 | 第50-54页 |
| ·单晶硅样品的光吸收特性 | 第51-52页 |
| ·KOH 腐蚀后的黑硅样品的光吸收率 | 第52-54页 |
| ·酸腐蚀金催化机理 | 第54页 |
| ·酸腐蚀制备的黑硅样品的微观形貌 | 第54-57页 |
| ·酸腐蚀制备的黑硅样品的表面成分分析 | 第57-58页 |
| ·酸腐蚀制备的黑硅样品的光吸收特性 | 第58-60页 |
| ·黑硅样品高吸收性能原因分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 工作总结 | 第63-64页 |
| 第六章 下一步工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 在攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
