| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1-1 引言 | 第8-9页 |
| 1-2 电子辐照技术概述 | 第9-12页 |
| 1-2-1 电子辐照概述 | 第9页 |
| 1-2-2 电子辐照的优点及应用 | 第9-10页 |
| 1-2-3 电子加速器的种类 | 第10页 |
| 1-2-4 电子辐照产生的缺陷 | 第10-12页 |
| 1-3 直拉硅中的氧 | 第12-15页 |
| 1-3-1 直拉硅中氧的基本性质 | 第12-13页 |
| 1-3-2 直拉硅中氧的扩散及扩散模型 | 第13-14页 |
| 1-3-3 直拉硅中的氧沉淀 | 第14-15页 |
| 1-4 电子辐照直拉硅中的氧化诱生缺陷 | 第15-17页 |
| 1-4-1 电子辐照直拉硅后产生缺陷的原理 | 第15页 |
| 1-4-2 电子辐照直拉硅单晶热处理后氧沉淀诱生的缺陷 | 第15-16页 |
| 1-4-3 电子辐照对氧化诱生层错的影响 | 第16-17页 |
| 1-4-4 氮气氛下热处理对氧化诱生缺陷的影响 | 第17页 |
| 1-5 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 样品制备与检测手段 | 第19-24页 |
| 2-1 样品的制备 | 第19页 |
| 2-2 主要实验设备 | 第19-24页 |
| 2-2-1 热处理设备 | 第19-20页 |
| 2-2-2 傅立叶红外光谱仪(FTIR) | 第20-22页 |
| 2-2-3 缺陷的腐蚀与观察 | 第22-24页 |
| 第三章 电子辐照直拉硅中的 V_mO_n 复合体的研究 | 第24-36页 |
| 3-1 前言 | 第24-25页 |
| 3-2 实验过程 | 第25页 |
| 3-3 实验结果与讨论 | 第25-34页 |
| 3-3-1 电子辐照直拉硅后所引入的缺陷 | 第25-27页 |
| 3-3-2 电子辐照直拉硅中 VO 缺陷复合体热处理性质的研究 | 第27-29页 |
| 3-3-3 电子辐照直拉硅中 VO_2 复合体的研究 | 第29-33页 |
| 3-3-4 电子辐照直拉硅低温热处理后间隙氧含量的变化 | 第33-34页 |
| 3-4 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 电子辐照直拉硅中 VO_2 稳定性的研究 | 第36-42页 |
| 4-1 引言 | 第36页 |
| 4-2 实验过程 | 第36-37页 |
| 4-3 实验结果与讨论 | 第37-41页 |
| 4-3-1 电子辐照直拉硅中 VO_2 在450℃下的稳定性 | 第37-39页 |
| 4-3-2 电子辐照直拉硅中 VO_2 在500℃下的稳定性 | 第39-41页 |
| 4-4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 RTP 预处理对电子辐照直拉硅氧沉淀进程的影响 | 第42-50页 |
| 5-1 引言 | 第42-43页 |
| 5-2 实验过程 | 第43页 |
| 5-3 实验结果与讨论 | 第43-49页 |
| 5-3-1 氮气氛退火对间隙氧含量的影响 | 第43-44页 |
| 5-3-2 氮气氛退火对缺陷形貌的影响 | 第44-46页 |
| 5-3-3 氮气氛下 RTP 对电子辐照直拉硅中氧沉淀进程的影响 | 第46-47页 |
| 5-3-4 不同气氛 RTP 对电子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的影响 | 第47-49页 |
| 5-4 小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
