| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1.概述 | 第7-16页 |
| ·多孔硅发展历史 | 第8页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第8-12页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第9页 |
| ·扩散限制模型 | 第9-10页 |
| ·量子限制模型 | 第10-12页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第12-14页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·水热腐蚀法 | 第13-14页 |
| ·火花放电法 | 第14页 |
| ·化学腐蚀法 | 第14页 |
| ·多孔硅薄膜的应用 | 第14-16页 |
| 2. 实验过程 | 第16-19页 |
| ·单晶硅片清洗 | 第16-17页 |
| ·多孔硅制备 | 第17页 |
| ·多孔硅上沉积Pd | 第17页 |
| ·多孔硅后处理 | 第17-19页 |
| 3. 多孔硅微表面和横截面形貌研究 | 第19-30页 |
| ·多孔硅AFM表面形貌研究 | 第19-23页 |
| ·表面尖端三维形态 | 第20-21页 |
| ·表面二维形貌 | 第21-23页 |
| ·多孔硅SEM截面形貌研究 | 第23-26页 |
| ·多孔硅SEM表面形貌研究 | 第26-29页 |
| ·空白多孔硅SEM表面形貌 | 第26-28页 |
| ·经过PdCl_2金属溶液沉浸后多孔硅SEM表面形貌 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4. 多孔硅场发射性能及器件制作 | 第30-43页 |
| ·场致发射原理 | 第30-34页 |
| ·场致电子发射 | 第30-31页 |
| ·场发射公式 | 第31-32页 |
| ·场发射技术的进展 | 第32-34页 |
| ·阳极氧化时间对多孔硅场发射性能影响 | 第34-35页 |
| ·等离子处理对多孔硅场发射性能影响 | 第35-37页 |
| ·测试结构设计 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5. 多孔硅上沉浸Pd金属沉浸 | 第43-50页 |
| ·元素分析 | 第43-46页 |
| ·激光诱导击穿光谱技术 | 第43-44页 |
| ·多孔硅经过Pd~(2+)溶液沉浸后元素分析 | 第44-46页 |
| ·成分定量分析 | 第46-48页 |
| ·电阻率分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 6. 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |