| 第一章 文献综述 | 第1-16页 |
| §1-1 引言 | 第7-8页 |
| §1-2 半导体硅单晶的应用 | 第8-11页 |
| 1-2-1 半导体硅单晶在集成电路（IC）中的应用 | 第9-10页 |
| 1-2-2 半导体硅单晶在硅光电池中的应用 | 第10-11页 |
| §1-3 半导体硅单晶中的氧碳 | 第11-16页 |
| 1-3-1 半导体硅单晶中的氧 | 第11-14页 |
| 1-3-2 半导体硅单晶中的碳 | 第14-16页 |
| 第二章 CZSi单晶生长原理及工艺 | 第16-29页 |
| §2-1 CZSi单晶生长的工艺过程 | 第17-21页 |
| §2-2 CZSi单晶生长的热场 | 第21-23页 |
| §2-3 CZSi单晶生长系统中的输运现象 | 第23-26页 |
| §2-4 CZSi单晶生长的减压工艺和氩气导流系统 | 第26-27页 |
| §2-5 CZSi单晶生长的大直径化趋势 | 第27-29页 |
| 第三章 热系统改造生长Φ200mm CZSi单晶的实验 | 第29-35页 |
| §3-1 实验方法 | 第29-32页 |
| §3-2 实验结果 | 第32-33页 |
| §3-3 分析和讨论 | 第33-34页 |
| §3-4 结论 | 第34-35页 |
| 第四章 CZSi200mm热系统的熔体纵向温度梯度测定实验 | 第35-39页 |
| §4-1 实验的方法 | 第35-37页 |
| §4-2 实验的结果 | 第37-38页 |
| §4-3 结论 | 第38-39页 |
| 第五章 CZSi200mm硅单晶熔体热场的数值模拟 | 第39-50页 |
| §5-1 熔体热场的数值模拟 | 第39-41页 |
| §5-2 模拟结果 | 第41-49页 |
| §5-3 结论 | 第49-50页 |
| 第六章 热场的关键性及其讨论 | 第50-54页 |
| §6-1 V／G（r）在CZSi生产中的重要性 | 第50-51页 |
| §6-2 CZSi中的缺陷 | 第51页 |
| §6-3 合适的热场配置 | 第51-52页 |
| §6-4 几乎完美的硅 | 第52页 |
| §6-5 以合理的热场控制氧含量 | 第52-54页 |
| 第七章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 附录A 数值模拟方法及ANSYS有限元软件 | 第58-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的科研成果 | 第76页 |
