| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-27页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·直拉法制备硅单晶 | 第11-12页 |
| ·硅中杂质、缺陷及掺杂剂 | 第12-21页 |
| ·硅中的氧 | 第12-15页 |
| ·氧沉淀 | 第15-17页 |
| ·硅中的氮 | 第17-18页 |
| ·点缺陷 | 第18-20页 |
| ·掺杂剂 | 第20-21页 |
| ·常规热处理与Ramping退火工艺 | 第21-23页 |
| ·低温退火 | 第21-22页 |
| ·中温退火 | 第22页 |
| ·高温退火 | 第22-23页 |
| ·Ramping退火工艺 | 第23页 |
| ·RTP技术及工艺 | 第23-27页 |
| ·RTP的基本机构 | 第23-24页 |
| ·RTP的优点和在集成电路制造中的应用 | 第24-25页 |
| ·MDZ形成的机理 | 第25-27页 |
| 第三章 实验设备及样品准备 | 第27-31页 |
| ·实验设备 | 第27-29页 |
| ·热处理炉 | 第27页 |
| ·傅立叶转换红外测试仪(FTIR) | 第27页 |
| ·金相显微镜(OM) | 第27-28页 |
| ·RTP快速热处理炉 | 第28页 |
| ·扫描红外测试仪(SIRM) | 第28-29页 |
| ·四探针电阻仪 | 第29页 |
| ·样品的制备 | 第29-30页 |
| ·热处理后硅片样品缺陷择优腐蚀 | 第30-31页 |
| ·轻掺硅片的腐蚀 | 第30页 |
| ·重掺硅片的腐蚀 | 第30-31页 |
| 第四章 空位对普通和掺氮直拉硅在线性升温条件下氧沉淀形核的影响 | 第31-45页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验 | 第32-34页 |
| ·实验样品 | 第32页 |
| ·实验步骤 | 第32-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-44页 |
| ·原生氧沉淀在Ramping工艺中的影响 | 第34-35页 |
| ·空位对CZ、NCZ硅在不同线性升温区间氧沉淀形核的影响 | 第35-38页 |
| ·SIRM测量的氧沉淀平均尺寸大小分布 | 第38-43页 |
| ·CZ、NCZ洁净区分布与退火工艺 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 空位对重掺单晶硅在线性升温条件下氧沉淀形核的影响 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-48页 |
| ·实验样品 | 第46页 |
| ·实验步骤 | 第46-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-56页 |
| ·重掺硼单晶 | 第48-52页 |
| ·空位对重掺硼在低温线性缓慢升温中氧沉淀形核的影响 | 第48-50页 |
| ·空位对重掺硼在高温线性缓慢升温中氧沉淀形核的影响 | 第50-52页 |
| ·重掺砷单晶 | 第52-55页 |
| ·空位对重掺砷在低温线性缓慢升温中氧沉淀形核的影响 | 第52-54页 |
| ·空位对重掺砷在高温线性缓慢升温中氧沉淀形核的影响 | 第54-55页 |
| ·Ramping两步退火形成的氧沉淀密度的SIRM定量描述 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 在读期间发表文章 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
