电子束熔炼冶金硅中杂质蒸发行为研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-26页 |
| ·立题背景 | 第9-10页 |
| ·太阳能级多晶硅的制备工艺 | 第10-19页 |
| ·太阳能级多晶硅传统制备工艺 | 第11-15页 |
| ·太阳能级多晶硅新制备工艺 | 第15-19页 |
| ·电子束熔炼 | 第19-24页 |
| ·电子束熔炼原理及特点 | 第19-20页 |
| ·电子束熔炼设备及结构 | 第20-23页 |
| ·电子束熔炼的应用 | 第23-24页 |
| ·本文研究的主要目的及内容 | 第24-26页 |
| 2 实验方法 | 第26-31页 |
| ·实验设备 | 第26-27页 |
| ·实验步骤 | 第27-29页 |
| ·实验参数 | 第29-31页 |
| ·不同熔炼功率工艺参数 | 第29-30页 |
| ·不同熔炼时间工艺参数 | 第30-31页 |
| 3 电子束熔炼工艺对杂质去除效果的研究 | 第31-44页 |
| ·概述 | 第31页 |
| ·电子束熔炼功率对杂质去除的影响 | 第31-34页 |
| ·杂质含量的变化 | 第31-32页 |
| ·杂质饱和蒸汽压的计算 | 第32-34页 |
| ·电子束熔炼时间对杂质去除的影响 | 第34-40页 |
| ·杂质含量变化 | 第34-36页 |
| ·杂质蒸发系数的计算 | 第36-39页 |
| ·杂质实际去除率与理论去除率的对比 | 第39-40页 |
| ·杂质含量与硅剩余率的关系 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4 电子束熔炼冶金硅中杂质磷、铝、钙的蒸发行为 | 第44-56页 |
| ·概述 | 第44-45页 |
| ·实验材料及方法 | 第45页 |
| ·杂质磷、铝、钙含量的变化 | 第45-47页 |
| ·杂质磷、铝、钙蒸发去除机理 | 第47-51页 |
| ·杂质磷、铝、钙的蒸发反应级数 | 第47-49页 |
| ·杂质磷的去除反应速率 | 第49页 |
| ·杂质铝、钙的去除反应速率 | 第49-51页 |
| ·杂质磷、铝、钙去除的速率控制步骤 | 第51-53页 |
| ·硅蒸发速率 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
