| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·掺氢硅基材料的研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·论文的主要内容和结构 | 第11-13页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的制备 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·射频等离子体增强化学气相沉积法 | 第13-15页 |
| ·纳米硅薄膜的生长机制 | 第15-18页 |
| ·本征纳米硅薄膜的生长 | 第15页 |
| ·化学反应的平衡问题 | 第15-16页 |
| ·化学反应的速率 | 第16-17页 |
| ·沉淀膜的表面化学反应 | 第17-18页 |
| ·纳米硅薄膜制备工艺参数对薄膜微结构的影响 | 第18-20页 |
| ·SiH_4∶(SiH_4+H_2)的影响 | 第18页 |
| ·直流偏压的影响 | 第18-19页 |
| ·衬底温度的影响 | 第19页 |
| ·工作气压的影响 | 第19-20页 |
| ·高频电源功率的影响 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 掺磷纳米硅薄膜的纳米力学和电学性质 | 第21-31页 |
| ·掺磷纳米硅薄膜的制备 | 第21页 |
| ·纳米力学和电学测试 | 第21-26页 |
| ·O&P方法简介 | 第21-23页 |
| ·薄膜接触电阻测试的基本原理与影响因素 | 第23-26页 |
| ·测试的结果与分析 | 第26-30页 |
| ·掺磷纳米硅薄膜的力学测试结果与分析 | 第26-28页 |
| ·掺磷纳米硅薄膜的接触电阻测试结果与分析 | 第28-30页 |
| ·第三章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 纳米硅薄膜超晶格量子阱模型的I-V特性模拟计算 | 第31-41页 |
| ·超晶格量子阱物理及其发展现状 | 第31-32页 |
| ·非简并掺杂半导体材料费米能级的计算 | 第32-33页 |
| ·简并掺杂半导体材料费米能级的计算 | 第33-34页 |
| ·超晶格量子阱共振隧穿效应理论公式推导 | 第34-38页 |
| ·多量子阱隧穿的理论模型 | 第34-37页 |
| ·纳米硅薄膜超晶格量子阱模型 | 第37-38页 |
| ·理论模拟与分析 | 第38-40页 |
| ·第五章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 掺氢超原胞的能带结构 | 第41-57页 |
| ·能带计算的基本方法 | 第41-45页 |
| ·第一性原理方法简介 | 第41页 |
| ·单电子近似的发展历史与密度泛函理论简介 | 第41-43页 |
| ·紧束缚近似方法(TB) | 第43-45页 |
| ·MS软件中CASTEP模块简介 | 第45页 |
| ·掺氢超原胞能带的计算结果与结论分析 | 第45-56页 |
| ·利用密度泛函理论计算掺氢超原胞 | 第45-51页 |
| ·等效杂化的思想 | 第51页 |
| ·紧束缚近似的理论计算 | 第51-56页 |
| ·第五章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·论文结论与创新点 | 第57页 |
| ·论文展望 | 第57-59页 |
| 附录 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士在读期间发表论文及所获奖励 | 第68页 |