应变硅载流子迁移率增强机理及模型研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·国内外研究进展 | 第7-11页 |
| ·论文研究内容以及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 应变硅的物理特性 | 第13-33页 |
| ·应变硅形成 | 第13-16页 |
| ·Si晶体结构 | 第13-14页 |
| ·应变硅形成 | 第14-16页 |
| ·应变硅技术优点 | 第16页 |
| ·应变硅能带结构 | 第16-20页 |
| ·应变Si导带结构 | 第16-17页 |
| ·应变Si价带结构 | 第17-18页 |
| ·应变Si/弛豫SiGe能带结构 | 第18-20页 |
| ·应变硅物理特性研究 | 第20-30页 |
| ·应变Si禁带宽度E_g研究 | 第20-24页 |
| ·应变Si状态密度有效质量研究 | 第24-26页 |
| ·应变Si状态密度研究 | 第26-27页 |
| ·应变Si本征载流子浓度研究 | 第27-28页 |
| ·应变Si电导有效质量研究 | 第28-29页 |
| ·应变Si迁移率研究 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 应变硅载流子散射机制研究 | 第33-57页 |
| ·玻耳兹曼方程 | 第33-35页 |
| ·弛豫时间近似求解玻耳兹曼方程 | 第35-37页 |
| ·散射机制研究 | 第37-42页 |
| ·跃迁几率 | 第38-39页 |
| ·电离杂质散射 | 第39页 |
| ·声学波形变势散射 | 第39-40页 |
| ·光学波形变势散射和等价谷间散射 | 第40-42页 |
| ·载流子之间的散射 | 第42页 |
| ·谷内声子散射模型研究 | 第42-47页 |
| ·谷间声子散射模型研究 | 第47-48页 |
| ·库仑散射模型研究 | 第48-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 应变硅迁移率模型研究 | 第57-71页 |
| ·应变硅电子迁移率模型研究 | 第57-59页 |
| ·应变硅空穴迁移率模型研究 | 第59-60页 |
| ·迁移率与有效电场的关系 | 第60-61页 |
| ·迁移率与温度的关系 | 第61-62页 |
| ·迁移率与掺杂浓度的关系 | 第62页 |
| ·迁移率与应力的关系研究 | 第62-69页 |
| ·转化原理及模型研究 | 第62-68页 |
| ·应力与Ge组分的关系 | 第68-69页 |
| ·经验迁移率模型 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 研究成果 | 第81-82页 |
