| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 前言 | 第13-16页 |
| ·研究背景和意义 | 第13-14页 |
| ·本研究的目的和文章的结构 | 第14-16页 |
| 第2章 文献综述 | 第16-41页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·硅中的氧 | 第16-21页 |
| ·氧的引入 | 第17-18页 |
| ·氧的基本性质 | 第18-19页 |
| ·氧的测量 | 第19-20页 |
| ·氧的扩散 | 第20-21页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第21-29页 |
| ·氧热施主 | 第22-23页 |
| ·氧沉淀的形成 | 第23-25页 |
| ·氧沉淀形成的影响因素 | 第25-27页 |
| ·氧沉淀的形貌和结构 | 第27-29页 |
| ·硅中的空位 | 第29-35页 |
| ·空位的基本性质 | 第29-30页 |
| ·空位的引入 | 第30-32页 |
| ·空位复合体 | 第32-34页 |
| ·空位对氧沉淀的影响 | 第34-35页 |
| ·掺锗单晶硅 | 第35-37页 |
| ·单晶硅的内吸杂技术 | 第37-41页 |
| ·高-低-高内吸杂工艺 | 第37-39页 |
| ·低-高内吸杂工艺 | 第39页 |
| ·基于ramping处理的内吸杂工艺 | 第39-40页 |
| ·MDZ内吸杂工艺 | 第40-41页 |
| 第3章 实验设备与样品准备 | 第41-45页 |
| ·热处理设备 | 第41-42页 |
| ·常规热处理炉 | 第41页 |
| ·快速热处理炉 | 第41-42页 |
| ·主要测试方法和测试设备 | 第42-43页 |
| ·硅中间隙氧浓度的测试和氧沉淀的表征 | 第42-43页 |
| ·体缺陷密度的测试 | 第43页 |
| ·电学性能的测试 | 第43页 |
| ·样品准备 | 第43-45页 |
| 第4章 快速热处理对掺锗直拉单晶硅电学性能的影响 | 第45-50页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46页 |
| ·实验结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·快速热处理温度对少子寿命的影响 | 第46-47页 |
| ·快速热处理时间对少子寿命的影响 | 第47-48页 |
| ·光照对少子寿命的影响 | 第48-49页 |
| ·锗杂质对直拉单晶硅中少子寿命的影响 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第5章 空位对掺锗直拉单晶硅中氧沉淀行为的影响 | 第50-66页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验 | 第50-53页 |
| ·研究线性升温及低温形核温度对氧沉淀行为影响的实验方案 | 第51-52页 |
| ·研究形核时间对氧沉淀行为影响的实验方案 | 第52-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-65页 |
| ·线性升温对氧沉淀行为的影响 | 第53-57页 |
| ·低温形核温度对氧沉淀行为的影响 | 第57-61页 |
| ·形核时间对氧沉淀行为的影响 | 第61-63页 |
| ·锗和空位复合体的反应 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第6章 快速热处理对掺锗直拉单晶硅内吸杂行为的影响 | 第66-75页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·实验 | 第66-68页 |
| ·实验样品 | 第66-67页 |
| ·实验方案 | 第67-68页 |
| ·实验结果与讨论 | 第68-74页 |
| ·快速热处理温度对硅片内吸杂的影响 | 第68-70页 |
| ·快速热处理气氛对硅片内吸杂的影响 | 第70-71页 |
| ·快速热处理时间对硅片内吸杂的影响 | 第71-72页 |
| ·快速热处理降温速率对硅片内吸杂的影响 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第7章 不同热处理方式对外延重掺锗样品中内吸杂行为的影响 | 第75-83页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·实验 | 第75-76页 |
| ·实验结果及讨论 | 第76-82页 |
| ·不同热处理方式对外延重掺硅片内吸杂行为的影响 | 第76-79页 |
| ·外延前不同热处理方式对重掺硅片内吸杂行为的影响 | 第79-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| 第8章 总结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第93页 |
