| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·多孔硅材料的研究科学背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究历史、现状和意义 | 第10-14页 |
| ·研究历史 | 第10-12页 |
| ·多孔硅的研究现状 | 第12页 |
| ·多孔硅的研究意义 | 第12-14页 |
| ·本论文的主要内容 | 第14-15页 |
| 2 多孔硅的物理特性 | 第15-21页 |
| ·结构特征 | 第15-20页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第15-16页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第16-18页 |
| ·X射线荧光衍射(XRD) | 第18页 |
| ·X射线吸收技术 | 第18-19页 |
| ·拉曼散射谱(Raman spectroscopy) | 第19页 |
| ·内表面分析-低温气体等温吸收技术(BET technique) | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 3 多孔硅的制备方法和及腐蚀参数对表面形貌的影响 | 第21-39页 |
| ·量子限制(尺寸)效应 | 第21页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第21-28页 |
| ·电化学腐蚀 | 第22-23页 |
| ·化学腐蚀 | 第23页 |
| ·激光辅助化学腐蚀 | 第23-25页 |
| ·超声声空化物理化学综合法 | 第25-26页 |
| ·水热腐蚀法 | 第26-27页 |
| ·脉冲腐蚀法 | 第27-28页 |
| ·样品后处理技术 | 第28-31页 |
| ·样品的干燥 | 第28-29页 |
| ·阴极还原和酸处理 | 第29-30页 |
| ·氧化与钝化处理 | 第30-31页 |
| ·阳极腐蚀面微孔形成机制模型 | 第31-33页 |
| ·扩散限制模型 | 第31页 |
| ·Beale 耗尽模型 | 第31页 |
| ·量子限制模型 | 第31-33页 |
| ·制备参数对孔隙度和腐蚀行为的影响 | 第33-37页 |
| ·多孔硅的孔隙度的概念 | 第33页 |
| ·制备参数对腐蚀行为的影响 | 第33-37页 |
| ·电化学腐蚀法的 I-V 特性 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 多孔硅的发光机制 | 第39-46页 |
| ·光致发光 | 第39-41页 |
| ·可见光波段 | 第39-41页 |
| ·发光的起源 | 第41-45页 |
| ·氢钝化模型 | 第41-42页 |
| ·表面氢化物模型 | 第42页 |
| ·缺陷态模型 | 第42页 |
| ·硅氧烯假说 | 第42-43页 |
| ·表面态模型 | 第43-44页 |
| ·量子限域效应 | 第44-45页 |
| ·蓝光的起源 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 5 石墨电极下制备的多孔硅光致发光 | 第46-57页 |
| ·实验装置 | 第46-48页 |
| ·单晶硅片的处理 | 第48页 |
| ·石墨电极的选择 | 第48-50页 |
| ·选择电极为碳源 | 第48-49页 |
| ·HF/Ethanol 溶液中石墨的剥离 | 第49-50页 |
| ·实验参数的选择 | 第50-51页 |
| ·实验结果 | 第51-54页 |
| ·讨论 | 第54-56页 |
| ·电流密度对低阻硅蓝光发射的影响（ρ=0.001Ω·cm） | 第54-55页 |
| ·腐蚀时间对低阻硅蓝光发射的影响（ρ=0.001Ω·cm） | 第55页 |
| ·电流密度对高阻硅37011m 处 PL 谱的影响（ρ=10Ω·cm） | 第55页 |
| ·腐蚀时间对高阻硅37011m 处PL 谱的影响（ρ=10Ω·cm） | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 6 多孔硅的光栅效应 | 第57-64页 |
| ·实验现象 | 第57页 |
| ·可能的机制 | 第57-58页 |
| ·禁带宽度的拓宽 | 第57-58页 |
| ·表面缺陷中心 | 第58页 |
| ·光栅效应 | 第58页 |
| ·建立光栅模型 | 第58-59页 |
| ·理论分析 | 第59-61页 |
| ·TE 偏振 | 第59-61页 |
| ·数值分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67页 |
