首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

金属诱导结晶硅及其应用

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 引言第9-18页
   ·选题背景第9-16页
     ·金属诱导结晶硅第9-12页
     ·可见光全波段高反膜第12-16页
   ·论文选题意义与章节安排第16-18页
第2章 金属诱导结晶硅第18-33页
   ·材料选择第18-20页
     ·金属材料选择第18-20页
     ·硅材料选择第20页
   ·制备工艺第20-21页
   ·实验结果第21-23页
   ·工艺参数对结晶情况的影响第23-32页
     ·薄膜厚度的影响第23-26页
     ·磁控溅射真空度的影响第26-28页
     ·退火时间及温度的影响第28-30页
     ·其他参数的影响第30-32页
   ·小结第32-33页
第3章 可见光全波段高反膜第33-45页
   ·材料选择第33-35页
   ·制备工艺第35-37页
   ·实验结果第37-38页
   ·工艺参数对反射率的影响第38-44页
     ·折射率的影响第38-40页
     ·透光性的影响第40-42页
     ·薄膜厚度的影响第42-44页
   ·小结第44-45页
第4章 论文工作总结第45-46页
参考文献第46-48页
致谢第48-49页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第49页

论文共49页,点击 下载论文
上一篇:中红外传输空心Bragg光纤
下一篇:SOI平板光子晶体慢光波导