| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-5页 |
| 致谢 | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-13页 |
| 前言 | 第13-16页 |
| 第1章 文献综述 | 第16-45页 |
| ·金属界面处的表面等离激元 | 第16-29页 |
| ·表面等离激元的基本特性 | 第16-17页 |
| ·表面等离激元的穿透深度和传播长度 | 第17-18页 |
| ·表面等离激元的激发方式 | 第18-20页 |
| ·表面等离激元的场增强效应 | 第20页 |
| ·金属纳米结构的局域表面等离子体 | 第20-21页 |
| ·LSP的共振频率、吸收和散射 | 第21-22页 |
| ·影响LSP共振的因素 | 第22-25页 |
| ·金属表面等离子体能量的耗散 | 第25页 |
| ·金属表面等离子体的应用 | 第25-27页 |
| ·金属结构的制备 | 第27-29页 |
| ·表面等离子体耦合发光 | 第29-38页 |
| ·金属SP和发光中心的耦合作用 | 第29-32页 |
| ·金属SP耦合发光的机理 | 第32-33页 |
| ·SP耦合发光在半导体发光材料领域的应用 | 第33-38页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第38-43页 |
| ·富硅氮化硅薄膜的发光研究进展 | 第39-41页 |
| ·ZnO薄膜的发光研究进展 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第2章 生长与测试设备 | 第45-50页 |
| ·直流磁控溅射设备 | 第45页 |
| ·PECVD设备 | 第45-46页 |
| ·热处理设备 | 第46-47页 |
| ·测试仪器 | 第47-50页 |
| 第3章 金属岛膜的制备和表征 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·银岛膜的制备 | 第51页 |
| ·衬底的清洗 | 第51页 |
| ·生长设备及生长条件 | 第51页 |
| ·银岛膜的表征 | 第51-54页 |
| ·银岛膜的形貌表征 | 第51-53页 |
| ·银岛膜的消光谱表征 | 第53-54页 |
| ·热处理对银岛膜的影响 | 第54-60页 |
| ·快速热处理对银岛膜的影响 | 第54-58页 |
| ·常规热处理对银岛膜的影响 | 第58-60页 |
| ·生长温度对银岛膜的影响 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第4章 金属核-壳结构阵列的制备和表征 | 第62-74页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·金属核-壳结构阵列的制备 | 第63-64页 |
| ·衬底的预处理 | 第63页 |
| ·聚苯乙烯球的组装 | 第63页 |
| ·金属壳层的沉积 | 第63页 |
| ·热处理去除PS模板 | 第63-64页 |
| ·金属银核-壳结构阵列的表征 | 第64-70页 |
| ·银核-壳结构阵列的形貌和LSP共振 | 第64-65页 |
| ·常规热处理去除银核-壳结构中的PS模板 | 第65-67页 |
| ·快速热处理去除银核-壳结构中的PS模板 | 第67-69页 |
| ·去除PS模板的银壳结构的表征 | 第69-70页 |
| ·金属Au核-壳结构阵列的表征 | 第70-72页 |
| ·Au核-壳结构阵列的形貌和LSP共振 | 第70-71页 |
| ·PS球模板的去除后的Au核-壳结构 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第5章 银岛膜局域表面等离子体用于增强ZnO薄膜发光 | 第74-92页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·实验条件 | 第75-76页 |
| ·样品制备 | 第75页 |
| ·样品测试 | 第75-76页 |
| ·实验结果和讨论 | 第76-91页 |
| ·样品的结构和形貌观察 | 第76-77页 |
| ·样品的消光谱表征 | 第77-78页 |
| ·样品的荧光光谱 | 第78-79页 |
| ·快速热处理对增强荧光的影响 | 第79-82页 |
| ·探测方式对增强荧光的影响 | 第82-86页 |
| ·ZnO薄膜层的厚度对荧光增强的影响 | 第86-87页 |
| ·温度对荧光增强的影响 | 第87-91页 |
| ·本章总结 | 第91-92页 |
| 第6章 局域表面等离子体增强硅基ZnO薄膜发光体系的设计 | 第92-104页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·理论基础 | 第93-97页 |
| ·源偶极子的运动方程 | 第93-94页 |
| ·归一化阻尼率 | 第94页 |
| ·源偶极子处的场 | 第94-95页 |
| ·体系的功率谱 | 第95-96页 |
| ·具体体系中的归一化阻尼率的形式分析 | 第96-97页 |
| ·实验部分 | 第97-101页 |
| ·实验设计和样品制备 | 第97-98页 |
| ·实验结果和分析 | 第98-100页 |
| ·理论计算结果和分析 | 第100-101页 |
| ·硅基ZnO发光增强体系的设计 | 第101-103页 |
| ·实验设计和样品制备 | 第101-102页 |
| ·计算及实验结果和分析 | 第102-103页 |
| ·本章总结 | 第103-104页 |
| 第7章 局域表面等离子体增强富硅氮化硅薄膜发光 | 第104-119页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·实验部分 | 第105-106页 |
| ·样品的制备 | 第105页 |
| ·样品的测试 | 第105-106页 |
| ·激发光波长对LSP增强SRSN薄膜发光的影响 | 第106-112页 |
| ·实验条件 | 第106页 |
| ·实验结果和讨论 | 第106-112页 |
| ·不同发光波长的SRSN薄膜与LSP的耦合发光 | 第112-118页 |
| ·实验条件 | 第112页 |
| ·实验结果和讨论 | 第112-118页 |
| ·本章总结 | 第118-119页 |
| 第8章 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-135页 |
| 作者简介 | 第135-136页 |
| 攻读博士期间发表(提交)的论文和申请的专利 | 第136-137页 |