| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-27页 |
| ·CVD 金刚石薄膜发展 | 第8页 |
| ·金刚石薄膜研究现状 | 第8-11页 |
| ·CVD 金刚石薄膜制备方法 | 第8-10页 |
| ·CVD 金刚石薄膜生长机理 | 第10页 |
| ·影响金刚石薄膜生长的因素 | 第10-11页 |
| ·CVD 金刚石薄膜掺杂研究 | 第11-13页 |
| ·CVD 金刚石薄膜的N 型掺杂 | 第12-13页 |
| ·CVD 金刚石薄膜的P 型掺杂 | 第13页 |
| ·用于二次电子发射阴极的金刚石薄膜 | 第13-26页 |
| ·二次电子的应用背景 | 第13-15页 |
| ·二次电子发射的基本理论 | 第15-20页 |
| ·金刚石薄膜二次电子发射阴极的研究现状 | 第20-22页 |
| ·金刚石薄膜二次电子发射阴极的研究意义 | 第22-23页 |
| ·影响金刚石薄膜二次电子发射的因素 | 第23-26页 |
| ·课题的来源及主要研究内容 | 第26-27页 |
| 2 金刚石薄膜的制备及表征 | 第27-36页 |
| ·微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置 | 第27-28页 |
| ·金刚石薄膜沉积基片的预处理 | 第28-31页 |
| ·基体的表面预处理工艺设计 | 第28-29页 |
| ·基片表面预处理表征结果 | 第29-31页 |
| ·不同性能的金刚石膜的制备 | 第31-34页 |
| ·高度择优取向的金刚石薄膜的制备 | 第31页 |
| ·CH_4+H_2+B_2H_6系统掺硼金刚石薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·CH_4+CO_2+Ar+B_2H_6系统掺硼金刚石薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·掺氮纳米金刚石薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·金刚石薄膜的表征方法 | 第34-36页 |
| 3 金刚石薄膜的表征结果 | 第36-59页 |
| ·高度择优取向性的金刚石薄膜 | 第36-40页 |
| ·CH_4+H_2+B_2H_6系统制备的掺硼金刚石薄膜 | 第40-47页 |
| ·CH_4+CO_2+Ar+B_2H_6系统制备的掺硼金刚石薄膜 | 第47-54页 |
| ·掺氮纳米金刚石薄膜 | 第54-59页 |
| 4 金刚石薄膜二次电子发射特性的测量 | 第59-68页 |
| ·二次电子发射系数的测量方法 | 第59-60页 |
| ·实验装置与测定原理 | 第60-62页 |
| ·测量结果及讨论 | 第62-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第78页 |
