| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| Content | 第6-8页 |
| Chapter 1 Introduction | 第8-13页 |
| ·Background | 第8-10页 |
| ·Thesis organization | 第10-11页 |
| References: | 第11-13页 |
| Chapter 2 Experimental Background | 第13-25页 |
| ·Scanning tunneling microscopy | 第13-17页 |
| ·Si(001) substrates | 第17-21页 |
| ·Experimental methods | 第21-24页 |
| References | 第24-25页 |
| Chapter 3 ErSi_(2-x) nanostructures growth on vicinal Si(001) | 第25-52页 |
| ·Introduction | 第25页 |
| ·Experiments | 第25-26页 |
| ·Experimental Results | 第26-34页 |
| ·Annealing Temperature Effect | 第28-30页 |
| ·Annealing Time Effect | 第30-32页 |
| ·Coverage Effect | 第32-34页 |
| ·Discussion | 第34-49页 |
| ·Structure of nanowires and nanoislands | 第34-39页 |
| ·Evolution of ErSi_(2-x) nanowire | 第39-47页 |
| ·Transition to nanoisland | 第47-49页 |
| ·Conclusion | 第49-50页 |
| References | 第50-52页 |
| Chapter 4 Interfacial structure between ErSi_2nanowire and Si(001) | 第52-72页 |
| ·Introduction | 第52页 |
| ·A comparison between nanowire growth on flat and vicinal surface | 第52-60页 |
| ·Interfacial structure of ErSi_2/Si(001) | 第60-63页 |
| ·Surface reconstruction and nanowire | 第63-68页 |
| ·The source of reactant | 第68-70页 |
| ·Conclusion | 第70页 |
| References: | 第70-72页 |
| Chapter 5 Shape transition of ErSi_(2-x) nanoislands | 第72-91页 |
| ·Introduction | 第72-74页 |
| ·Experimental results | 第74-80页 |
| ·Tersoff equation | 第80-83页 |
| ·Modification of Tersoff equation | 第83-87页 |
| ·Conclusion | 第87-88页 |
| References | 第88-91页 |
| Publication | 第91-92页 |
| Acknowledgement | 第92-94页 |
