首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

硅锗异质结构中部分位错演化的分子模拟

摘要第1-5页
Abstract第5-13页
第1章 绪论第13-29页
   ·课题背景及研究的目的和意义第13-15页
   ·硅锗异质结构简介第15-20页
     ·失配位错的产生第15-18页
     ·异质结构中失配位错的主要形式第18-20页
   ·失配部分位错的微观结构第20-27页
     ·位错基本理论第20-24页
     ·30 度部分位错的微观结构第24-25页
     ·90 度部分位错的微观结构第25-27页
   ·本课题的主要研究内容第27-29页
第2章 分子模拟原理及方法简介第29-47页
   ·引言第29页
   ·第一性原理的基本理论第29-36页
     ·Born-Oppenheimer绝热假设第31-32页
     ·密度泛函理论第32-34页
     ·局域密度近似和广义梯度近似方法第34-35页
     ·赝势理论第35-36页
   ·紧束缚理论(TB)第36-37页
   ·分子动力学方法第37-44页
     ·初始化及原子上的力第38页
     ·积分算法第38-40页
     ·常用经验势函数介绍第40-43页
     ·应力施加方法第43-44页
   ·最低能量路径寻找方法第44-45页
   ·周期性边界条件第45-46页
   ·本章小结第46-47页
第3章 30 度部分位错的运动特性第47-62页
   ·引言第47-48页
   ·分子动力学参数设定第48-49页
   ·30 度部分位错的弯结模型第49-50页
   ·弯结的运动过程第50-58页
     ·LK和RK的运动过程第50-53页
     ·LC和RC的运动过程第53-55页
     ·运动过程中弯结之间的相互作用第55-57页
     ·弯结的速度特性第57-58页
   ·弯结的迁移势垒第58-60页
   ·结果讨论第60页
   ·本章小结第60-62页
第4章 90 度部分位错的运动特性第62-72页
   ·引言第62-63页
   ·计算方法选择第63-64页
   ·90 度部分位错双周期结构(DP)及其弯结模型第64-65页
   ·DP中弯结的运动过程第65-67页
     ·左弯结的运动过程第65-66页
     ·右弯结的运动过程第66-67页
   ·弯结形成能的计算第67-69页
   ·弯结迁移势垒的计算第69-70页
   ·结果及讨论第70-71页
   ·本章小结第71-72页
第5章 空位的第一性原理及经验势函数的对比研究第72-85页
   ·引言第72-73页
   ·计算方法及参数设定第73-76页
     ·第一性原理参数设定第73-75页
     ·经验势函数计算方法参数设定第75-76页
   ·单空位的结构特性及形成能第76-78页
     ·单空位的结构特性第76-78页
     ·单空位的形成能第78页
     ·单空位结果讨论第78页
   ·双空位的结构特性及形成能第78-81页
     ·双空位的结构特性第78-80页
     ·双空位的形成能第80-81页
     ·双空位结果讨论第81页
   ·六边形空位环的结构特性及形成能第81-83页
     ·六边形空位环的结构特性第81-82页
     ·六边形空位环的形成能第82-83页
     ·六边形空位环结果讨论第83页
   ·计算结果分析第83-84页
   ·本章小结第84-85页
第6章 30 度部分位错与空位的相互作用第85-97页
   ·引言第85页
   ·计算方法及参数设置第85-86页
   ·分子动力学模型第86-88页
   ·30 度部分位错与单空位的相互作用第88-92页
     ·30 度部分位错与单空位的相互作用过程第88-89页
     ·临界剪应力第89-90页
     ·单空位对30 度部分位错运动速度的影响第90-92页
   ·30 度部分位错与双空位的相互作用第92-96页
     ·30 度部分位错与双空位的相互作用过程第92-93页
     ·临界剪应力第93-94页
     ·双空位对30 度部分位错运动速度的影响第94-96页
   ·本章小结第96-97页
结论第97-99页
参考文献第99-107页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第107-109页
致谢第109-110页
个人简历第110页

论文共110页,点击 下载论文
上一篇:高速低功耗A/D转换器及相关技术研究
下一篇:集成霍尔磁编码器的研究