硅锗异质结构中部分位错演化的分子模拟
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-13页 |
第1章 绪论 | 第13-29页 |
·课题背景及研究的目的和意义 | 第13-15页 |
·硅锗异质结构简介 | 第15-20页 |
·失配位错的产生 | 第15-18页 |
·异质结构中失配位错的主要形式 | 第18-20页 |
·失配部分位错的微观结构 | 第20-27页 |
·位错基本理论 | 第20-24页 |
·30 度部分位错的微观结构 | 第24-25页 |
·90 度部分位错的微观结构 | 第25-27页 |
·本课题的主要研究内容 | 第27-29页 |
第2章 分子模拟原理及方法简介 | 第29-47页 |
·引言 | 第29页 |
·第一性原理的基本理论 | 第29-36页 |
·Born-Oppenheimer绝热假设 | 第31-32页 |
·密度泛函理论 | 第32-34页 |
·局域密度近似和广义梯度近似方法 | 第34-35页 |
·赝势理论 | 第35-36页 |
·紧束缚理论(TB) | 第36-37页 |
·分子动力学方法 | 第37-44页 |
·初始化及原子上的力 | 第38页 |
·积分算法 | 第38-40页 |
·常用经验势函数介绍 | 第40-43页 |
·应力施加方法 | 第43-44页 |
·最低能量路径寻找方法 | 第44-45页 |
·周期性边界条件 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第3章 30 度部分位错的运动特性 | 第47-62页 |
·引言 | 第47-48页 |
·分子动力学参数设定 | 第48-49页 |
·30 度部分位错的弯结模型 | 第49-50页 |
·弯结的运动过程 | 第50-58页 |
·LK和RK的运动过程 | 第50-53页 |
·LC和RC的运动过程 | 第53-55页 |
·运动过程中弯结之间的相互作用 | 第55-57页 |
·弯结的速度特性 | 第57-58页 |
·弯结的迁移势垒 | 第58-60页 |
·结果讨论 | 第60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第4章 90 度部分位错的运动特性 | 第62-72页 |
·引言 | 第62-63页 |
·计算方法选择 | 第63-64页 |
·90 度部分位错双周期结构(DP)及其弯结模型 | 第64-65页 |
·DP中弯结的运动过程 | 第65-67页 |
·左弯结的运动过程 | 第65-66页 |
·右弯结的运动过程 | 第66-67页 |
·弯结形成能的计算 | 第67-69页 |
·弯结迁移势垒的计算 | 第69-70页 |
·结果及讨论 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第5章 空位的第一性原理及经验势函数的对比研究 | 第72-85页 |
·引言 | 第72-73页 |
·计算方法及参数设定 | 第73-76页 |
·第一性原理参数设定 | 第73-75页 |
·经验势函数计算方法参数设定 | 第75-76页 |
·单空位的结构特性及形成能 | 第76-78页 |
·单空位的结构特性 | 第76-78页 |
·单空位的形成能 | 第78页 |
·单空位结果讨论 | 第78页 |
·双空位的结构特性及形成能 | 第78-81页 |
·双空位的结构特性 | 第78-80页 |
·双空位的形成能 | 第80-81页 |
·双空位结果讨论 | 第81页 |
·六边形空位环的结构特性及形成能 | 第81-83页 |
·六边形空位环的结构特性 | 第81-82页 |
·六边形空位环的形成能 | 第82-83页 |
·六边形空位环结果讨论 | 第83页 |
·计算结果分析 | 第83-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
第6章 30 度部分位错与空位的相互作用 | 第85-97页 |
·引言 | 第85页 |
·计算方法及参数设置 | 第85-86页 |
·分子动力学模型 | 第86-88页 |
·30 度部分位错与单空位的相互作用 | 第88-92页 |
·30 度部分位错与单空位的相互作用过程 | 第88-89页 |
·临界剪应力 | 第89-90页 |
·单空位对30 度部分位错运动速度的影响 | 第90-92页 |
·30 度部分位错与双空位的相互作用 | 第92-96页 |
·30 度部分位错与双空位的相互作用过程 | 第92-93页 |
·临界剪应力 | 第93-94页 |
·双空位对30 度部分位错运动速度的影响 | 第94-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
结论 | 第97-99页 |
参考文献 | 第99-107页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第107-109页 |
致谢 | 第109-110页 |
个人简历 | 第110页 |