| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| 第二章 普克尔斯效应的基本理论 | 第10-18页 |
| ·光波在介质中传播的基本方程 | 第10-13页 |
| ·晶体的介电常数张量 | 第10-11页 |
| ·晶体中光波传播特性的几何法描述 | 第11-13页 |
| ·普克尔斯效应 | 第13-18页 |
| 第三章 硅材料场致普克尔斯效应理论分析 | 第18-31页 |
| ·硅的晶体结构和性质 | 第18页 |
| ·硅材料中场致普克尔斯效应的基本理论 | 第18-21页 |
| ·电场对硅材料对称性的改变 | 第21-31页 |
| ·直流电场沿[001]晶向时硅材料的对称性 | 第23-24页 |
| ·直流电场沿[011]晶向时硅材料的对称性 | 第24-27页 |
| ·直流电场沿[111]晶向时硅材料的对称性 | 第27-31页 |
| 第四章 硅材料的场致普克尔斯效应的测量 | 第31-40页 |
| ·塞纳蒙补偿器的原理 | 第31-34页 |
| ·琼斯矩阵 | 第31-33页 |
| ·塞纳蒙补偿器的原理 | 第33-34页 |
| ·场致普克尔斯效应实验设计及测量 | 第34-40页 |
| ·硅样品结构 | 第34-35页 |
| ·实验光路设计及电路设计 | 第35-37页 |
| ·实验测量 | 第37-40页 |
| 第五章 硅材料场致光整流效应测量 | 第40-52页 |
| ·光整流的基本理论 | 第40-41页 |
| ·硅材料中场致光整流效应分析 | 第41-45页 |
| ·硅材料沿[001]方向加电场光整流分析 | 第42-43页 |
| ·硅材料沿[011] 方向加电场光整流分析 | 第43-44页 |
| ·硅材料沿[111]方向加电场光整流分析 | 第44-45页 |
| ·硅材料[111]方向电场诱导的光整流实验设计与测量 | 第45-52页 |
| ·电场诱导的光整流实验设计 | 第45-48页 |
| ·电场诱导的光整流实验测量 | 第48-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 摘要 | 第56-58页 |
| Abstract | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |