| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| §1-1 引言 | 第10-11页 |
| §1-2 硅中氧的性质 | 第11-14页 |
| 1-2-1 直拉硅中氧的引入 | 第11-12页 |
| 1-2-2 硅中氧的扩散 | 第12-13页 |
| 1-2-3 硅中的氧沉淀 | 第13-14页 |
| §1-3 硅中氮的性质 | 第14-18页 |
| 1-3-1 直拉硅中氮的引入及测量 | 第14-15页 |
| 1-3-2 氮对单晶硅性能的影响 | 第15-16页 |
| 1-3-3 氮氧复合体 | 第16-18页 |
| §1-4 离子注入及对硅片的作用 | 第18-21页 |
| 1-4-1 离子注入工艺 | 第18页 |
| 1-4-2 离子注入系统 | 第18-19页 |
| 1-4-3 沟道效应和注入离子在单晶内的分布 | 第19-20页 |
| 1-4-4 注入损伤和注入缺陷 | 第20-21页 |
| §1-5 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 样品与实验方法 | 第22-27页 |
| §2-1 样品的选择 | 第22页 |
| §2-2 样品的制备 | 第22-23页 |
| §2-3 主要实验设备 | 第23-26页 |
| 2-3-1 离子注入机 | 第23-24页 |
| 2-3-2 常规退火炉和快速热处理炉(RTP) | 第24-25页 |
| 2-3-3 傅立叶变换红外光谱仪器(FTIR ) | 第25-26页 |
| 2-3-4 四探针测试仪 | 第26页 |
| §2-4 样品的腐蚀 | 第26-27页 |
| 第三章 氮离子注入单晶硅中氮相关复合体的IR研究 | 第27-35页 |
| §3-1 引言 | 第27页 |
| §3-2 实验过程 | 第27-28页 |
| §3-3 实验结果与讨论 | 第28-34页 |
| 3-3-1 氮离子注入单晶硅的常温红外光谱研究 | 第28-29页 |
| 3-3-2 氮离子注入单晶硅中氮关复合体的常温红外光谱研究 | 第29-31页 |
| 3-3-3 不同退火时长对氮离子注入单晶硅中氮关复合体的影响 | 第31-33页 |
| 3-3-4 不同的保护气氛对氮离子注入单晶硅中氮关复合体的影响 | 第33-34页 |
| §3-4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 氮离子注入对单晶硅电学性能的影响 | 第35-43页 |
| §4-1 引言 | 第35页 |
| §4-2 实验过程 | 第35-36页 |
| §4-3 实验结果与分析 | 第36-42页 |
| 4-3-1 氮离子注入单晶硅后注入样品和非注入样品的电阻率 | 第36-37页 |
| 4-3-2 不同温度RTP热处理对氮离子注入单晶硅电学性能的影响 | 第37页 |
| 4-3-3 不同退火时长对氮离子注入单晶硅电学性能的影响 | 第37-39页 |
| 4-3-4 不同保护气氛下热处理对氮离子注入单晶硅电学性能的影响 | 第39-40页 |
| 4-3-5 预处理对氮离子注入单晶硅电学性能的影响 | 第40-42页 |
| §4-4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 氮离子注入对单晶硅中氧沉淀及清洁区的影响 | 第43-53页 |
| §5-1 引言 | 第43页 |
| §5-2 实验过程 | 第43-44页 |
| §5-3 实验结果与讨论 | 第44-52页 |
| 5-3-1 不同RTP处理条件对注氮硅中氧沉淀的影响 | 第44-46页 |
| 5-3-2 不同退火时长对注氮硅中氧沉淀及清洁区的影响 | 第46-51页 |
| 5-3-3 不同温度预处理对注氮硅中氧沉淀及清洁区的影响 | 第51-52页 |
| §5-4 小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第60页 |
