| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 1.文献综述 | 第14-28页 |
| ·单晶硅材料发展现状 | 第14-15页 |
| ·硅单晶生长热场模拟概况 | 第15-18页 |
| ·热场数值模拟技术的发展 | 第15-16页 |
| ·数学模型建立的理论基础 | 第16-18页 |
| ·直拉硅单晶中的微缺陷 | 第18-23页 |
| ·硅中点缺陷的基本概念 | 第18-19页 |
| ·晶体生长工艺对微缺陷形成作用机理 | 第19-21页 |
| ·单晶硅中主要微缺陷 | 第21-22页 |
| ·微缺陷的控制 | 第22-23页 |
| ·单晶硅中氧的性质 | 第23页 |
| ·磁场在直拉法中的应用 | 第23-25页 |
| ·数值计算方法 | 第25-27页 |
| ·有限元法简介 | 第25-26页 |
| ·有限元法在晶体生长中的应用 | 第26-27页 |
| ·课题研究的意义及内容 | 第27-28页 |
| 2.实验方案 | 第28-38页 |
| ·晶体生长工艺条件 | 第28-30页 |
| ·晶体生长设备 | 第28-29页 |
| ·晶体生长工艺参数设定 | 第29-30页 |
| ·热场计算 | 第30-38页 |
| ·FEMAG-CZ热场模拟软件简介 | 第30页 |
| ·数学模型与计算流程 | 第30-32页 |
| ·几何建模 | 第32页 |
| ·网格划分 | 第32-35页 |
| ·建立材料参数数据库 | 第35-37页 |
| ·工艺参数的设定和模拟运算结果的导出 | 第37-38页 |
| 3.CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布的影响 | 第38-53页 |
| ·保持磁场强度不变,通电线圈半径和距离对晶体中氧浓度的影响 | 第39-44页 |
| ·模拟结果 | 第39-43页 |
| ·分析结果与讨论 | 第43-44页 |
| ·保持电流强度不变,CUSP磁场通电线圈距离对晶体中氧浓度的影响 | 第44-49页 |
| ·模拟结果 | 第44-46页 |
| ·结果分析与讨论 | 第46-49页 |
| ·CUSP磁场强度对硅单晶中氧浓度的影响 | 第49-50页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第49-50页 |
| ·模拟结果实验验证 | 第50-51页 |
| ·实验主要内容 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·实验结果 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4.直拉硅单晶生长速度对晶体中微缺陷类型和分布的影响 | 第53-69页 |
| ·直拉硅单晶生长速度对晶体中微缺陷类型和分布的影响 | 第53-58页 |
| ·模拟结果 | 第53-56页 |
| ·结果分析与讨论 | 第56-58页 |
| ·晶体不同生长速度对固液界面形状的影响 | 第58-59页 |
| ·模拟结果实验验证 | 第59-67页 |
| ·实验主要内容 | 第59页 |
| ·直拉硅单晶生长工艺参数 | 第59-60页 |
| ·铜缀饰实验 | 第60-61页 |
| ·FPD密度检测 | 第61-64页 |
| ·COP数量检测 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 5.热屏底端距硅熔体自由界面距离对硅单晶体生长的影响 | 第69-78页 |
| ·热屏底端距硅熔体自由表面距离对晶体熔体固液界面形状的影响 | 第70-72页 |
| ·热屏底端距硅熔体自由界面距离对晶体中微缺陷的影响 | 第72-74页 |
| ·热屏底端距硅熔体自由界面距离对晶体中氧含量的影响 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 在学期间研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
