| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| §1．1 前言 | 第7-8页 |
| §1．2 文献综述 | 第8-22页 |
| 1．2．1 硅单晶中的微缺陷 | 第8页 |
| 1．2．2 CZ硅中的原生缺陷及其与V／G的关系 | 第8-10页 |
| 1．2．3 CZ硅中的空位型原生缺陷 | 第10-14页 |
| 1．2．4 CZ硅中各种空位型缺陷的关系 | 第14-16页 |
| 1．2．5 空洞型缺陷的形成 | 第16页 |
| 1．2．6 氧对空洞型缺陷的影响 | 第16-19页 |
| 1．2．7 空洞型原生缺陷对超大规模集成电路的影响 | 第19页 |
| 1．2．8 空洞型原生缺陷的控制方法 | 第19-22页 |
| §1．3 小结 | 第22-23页 |
| 第二章 实验 | 第23-31页 |
| §2．1 实验样品 | 第23页 |
| §2．2 实验方案 | 第23-31页 |
| 2．2．1 FPDs结构的研究 | 第23-27页 |
| 2．2．2 快速热退火对FPDs密度的影响 | 第27-31页 |
| 第三章 CZ-Si单晶中FPDs缺陷结构的研究 | 第31-46页 |
| §3．1 实验结果 | 第31-35页 |
| 3．1．1 FPDs在硅片中的径向分布及形态 | 第31-32页 |
| 3．1．2 FPDs的端部结构 | 第32-35页 |
| §3．2 分析与讨论 | 第35-44页 |
| 3．2．1 硅中本征点缺陷与原生缺陷之间的关系 | 第35-37页 |
| 3．2．2 FPDs端部空洞的结构分析 | 第37-41页 |
| 3．2．3 八面体空洞型缺陷形成的动力学模型 | 第41-44页 |
| §3．3 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 Ar气氛下快速退火对FPDs密度的影响 | 第46-56页 |
| §4．1 实验结果 | 第46-47页 |
| §4．2 分析与讨论 | 第47-54页 |
| 4．2．1 八面体空洞的消除机制 | 第48-54页 |
| §4．3 小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录A Steag AST100型快速热退火系统简介 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学位论文 | 第66页 |