高温氩退火对提高硅片质量的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 1 文献综述 | 第12-34页 |
| ·大直径CZ硅中的微缺陷 | 第12-23页 |
| ·空洞型微缺陷的发展 | 第12-13页 |
| ·空洞型微缺陷的分类 | 第13-15页 |
| ·空洞型微缺陷的形成 | 第15-20页 |
| ·杂质空洞型微缺陷的影响 | 第20-21页 |
| ·空洞型微缺陷的控制 | 第21-23页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第23-29页 |
| ·氧沉淀的作用 | 第23-24页 |
| ·氧沉淀的形成 | 第24-26页 |
| ·氧沉淀的形态 | 第26-28页 |
| ·氧沉淀的影响因素 | 第28-29页 |
| ·内吸杂技术 | 第29-34页 |
| ·吸杂技术的分类 | 第29-30页 |
| ·内吸杂技术 | 第30-34页 |
| 2 试验样品和设备 | 第34-36页 |
| ·实验设备 | 第34-35页 |
| ·高温退火炉 | 第34页 |
| ·傅立叶红外光谱仪(FTIR) | 第34页 |
| ·金相显微镜 | 第34页 |
| ·表面扫描检测系统 | 第34-35页 |
| ·样品制备 | 第35-36页 |
| ·样品的腐蚀 | 第35页 |
| ·MOS电容器的制备 | 第35-36页 |
| 3 高温退火对硅单晶中VOID的影响 | 第36-48页 |
| ·试验 | 第36-37页 |
| ·试验样品 | 第36页 |
| ·实验方案 | 第36-37页 |
| ·实验结果 | 第37-43页 |
| ·退火温度对COP的消除影响 | 第37-39页 |
| ·退火时间对COP的消除影响 | 第39-41页 |
| ·热处理后COP密度的深度分布 | 第41-42页 |
| ·热处理后硅片表面状态的变化 | 第42-43页 |
| ·分析讨论 | 第43-47页 |
| ·高温退火过程中间隙氧的行为 | 第43-44页 |
| ·高温退火过程中点缺陷的行为 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 高温退火对硅单晶中氧沉淀和洁净区的影响 | 第48-57页 |
| ·试验 | 第48-49页 |
| ·试验样品 | 第48页 |
| ·实验方案 | 第48-49页 |
| ·试验结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·高温热处理对间隙氧含量变化的影响 | 第49-51页 |
| ·高温热处理对氧沉淀和洁净区的影响 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 5 高温退火硅片的GOI测试 | 第57-61页 |
| ·试验 | 第57-58页 |
| ·试验样品 | 第57页 |
| ·实验方案 | 第57-58页 |
| ·试验结果与讨论 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
