| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·锗基材料的应用现状与前景 | 第12-15页 |
| ·在太阳能电池中的应用 | 第12-13页 |
| ·在红外光学器件中的应用 | 第13页 |
| ·在电子器件中的应用 | 第13-14页 |
| ·过渡族金属在锗基器件中的应用 | 第14-15页 |
| ·几种主要过渡族金属在锗单晶中的电学行为研究进展 | 第15-24页 |
| ·IB 族以外的金属杂质在锗单晶中的电学行为 | 第16-18页 |
| ·IB 族金属在锗单晶中的电学行为 | 第18-24页 |
| ·课题的意义与目的 | 第24-25页 |
| 第二章 实验样品及设备 | 第25-34页 |
| ·实验样品前处理 | 第25页 |
| ·热处理设备与热处理步骤 | 第25-27页 |
| ·常规热处理 | 第26页 |
| ·快速热处理 | 第26-27页 |
| ·测试及分析仪器介绍 | 第27-34页 |
| ·四探针电阻率仪的原理及应用 | 第28-29页 |
| ·导电型号的测定方法 | 第29-31页 |
| ·扩展电阻仪原理及应用 | 第31-32页 |
| ·μ-PCD 微波光电导衰减仪的原理与构成 | 第32-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD，X-ray diffraction）原理及应用 | 第33页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）介绍 | 第33-34页 |
| 第三章 铜玷污锗片的初步研究 | 第34-45页 |
| ·前言 | 第34页 |
| ·实验部分 | 第34-35页 |
| ·热处理条件 | 第34-35页 |
| ·测试前的处理 | 第35页 |
| ·电阻率测试 | 第35页 |
| ·表面物质成分测试 | 第35页 |
| ·红外透过率测试 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-44页 |
| ·热处理对铜玷污锗片电学性能影响的初步探索 | 第35-37页 |
| ·锗片表面物质成分分析 | 第37-40页 |
| ·铜玷污锗片的红外透过性能测试 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 铜在锗单晶中的电学行为研究 | 第45-59页 |
| ·前言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·铜扩散对锗单晶电阻率的影响 | 第45-46页 |
| ·较低温度常规热处理对经RTP 后受主态铜浓度的影响 | 第46页 |
| ·铜扩散对锗单晶少子寿命的影响 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-57页 |
| ·铜扩散对锗单晶电阻率的影响 | 第46-54页 |
| ·较低温度常规热处理对经RTP 后受主态铜浓度的影响 | 第54-57页 |
| ·铜扩散对锗单晶少子寿命的影响 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 银在锗单晶中的电学行为研究 | 第59-69页 |
| ·前言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·银扩散对锗单晶电阻率的影响 | 第59-60页 |
| ·银扩散对锗单晶少子寿命的影响 | 第60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-67页 |
| ·银扩散对锗单晶电阻率的影响 | 第60-66页 |
| ·银扩散对锗单晶少子寿命的影响 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第77页 |
