当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
元素半导体
直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀
快速热处理对单晶硅机械性能的影响
单晶硅晶体特性的压痕仿真与试验研究
冶金法去除多晶硅中B杂质的研究
电子束熔炼提纯多晶硅中热量传输和能量利用的研究
电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除硅中杂质的研究
利用DLTS技术研究黑硅的钝化和表面态
冶金法制备高纯硅工艺研究
硅铝合金中锡的添加对初晶硅回收的影响及锡的电解沉积研究
多晶硅提纯设备DPS650的壳体设计分析
合金法提纯多晶硅的研究
黑硅制备工艺与光电特性研究
RPCVD生长应变Si/应变SiGe薄膜的研究
大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状的数值分析
多孔硅微结构及发光机理的正电子谱学研究
硅基材料的制备、表征及其储锂性能研究
多孔硅的制备及发光机理的研究
冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究
提高复合电沉积金刚石切割片性能的试验研究
含硼金刚石单晶的微观品质与半导体性能的相关性研究
西门子法生产多晶硅的热力学
SiCl4/H2为气源沉积多晶硅薄膜的电输运特性的研究
P型SiC欧姆接触高温可靠性研究
含硅功能材料的制备与性质
离子束轰击Si及SiC的计算机模拟
低能Si与Si（001）2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟
纳米晶硅及掺饵纳米晶硅发光特性的研究
飞秒脉冲激光沉积大面积类金刚石薄膜均匀性研究
Si基应变材料能带结构研究
半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
多孔硅的湿度传感特性研究
纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究
新型硅基薄膜材料转移技术的研究
硅集成探针技术及微纳摩擦效应研究
MEMS中多孔硅的原电池法制备及绝热性能模拟
快中子辐照直拉硅辐照缺陷的研究
电子辐照直拉硅辐照效应的研究
金属硅化物熔体中不同形貌碳化硅晶体的生长研究
模板及沉积在模板上的低维SiC及SiC：Tb材料的研究
高性能硅基发光材料及硅MSM结构光电探测器的研制
用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响
多孔硅电致发光特性研究
金刚石薄膜的生长及导热模型研究
3D-MCM金刚石热沉热分析及热应力分析
硅晶片缺陷模式分析研究
纳米晶体硅量子点场致发射冷阴极研究
用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究
薄层硅外延材料的研究
单晶硅自停止腐蚀工艺研究
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页
