摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-28页 |
·硅材料概述 | 第11-13页 |
·太阳能级硅材料的发展概况 | 第11-12页 |
·太阳能级硅材料的基本特性 | 第12-13页 |
·单晶硅生长工艺 | 第13-14页 |
·热系统的重要性 | 第14-17页 |
·直拉单晶硅生长过程中的热传输 | 第15-16页 |
·熔体热对流 | 第16-17页 |
·直拉单晶硅生长的工艺过程 | 第17-21页 |
·直拉单晶硅中的氧碳杂质 | 第21-27页 |
·氧和碳对直拉单晶硅的影响 | 第21-22页 |
·直拉单晶硅中氧与碳的引入 | 第22-23页 |
·直拉单晶硅氧碳含量控制的研究进展 | 第23-27页 |
·本论文的选题意义及内容 | 第27-28页 |
第二章 直拉单晶硅中氧的分布 | 第28-40页 |
·直拉单晶硅中氧的基本性质 | 第28-32页 |
·氧的固溶度 | 第30页 |
·氧的扩散 | 第30-31页 |
·氧含量的测量 | 第31-32页 |
·实验内容 | 第32-35页 |
·实验设备及材料制备 | 第32-34页 |
·实验方案 | 第34-35页 |
·实验结果及讨论 | 第35-39页 |
·直拉单晶硅中氧的红外光谱特征 | 第35-36页 |
·直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第36-37页 |
·直拉单晶硅中杂质分布位置 | 第37-38页 |
·直拉单晶硅中氧的轴向分布规律 | 第38-39页 |
·直拉单晶硅中氧的径向分布规律 | 第39页 |
·小结 | 第39-40页 |
第三章 直拉单晶硅中碳的分布 | 第40-48页 |
·硅中碳的基本性质 | 第40-42页 |
·碳的固溶度 | 第40-41页 |
·碳的分凝 | 第41页 |
·碳的扩散 | 第41-42页 |
·碳含量的测量 | 第42页 |
·实验内容 | 第42-43页 |
·实验设备及材料制备 | 第42页 |
·实验方案 | 第42-43页 |
·实验结果及讨论 | 第43-47页 |
·直拉单晶硅中碳的红外光谱图 | 第43-44页 |
·碳在单晶硅晶棒中的轴向分布规律 | 第44-46页 |
·碳在单晶硅晶棒中的径向分布规律 | 第46-47页 |
·小结 | 第47-48页 |
第四章 生产设备对直拉单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第48-58页 |
·直拉单晶硅中杂质含量的控制方法 | 第48-50页 |
·直拉单晶硅中氧含量的控制方法 | 第48-49页 |
·直拉单晶硅中碳含量的控制方法 | 第49-50页 |
·实验部分 | 第50页 |
·实验设备及材料制备 | 第50页 |
·实验方案 | 第50页 |
·改变热系统中氢气走向对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第50-52页 |
·加热器尺寸减小对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第52-55页 |
·不同石墨器件对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第55-56页 |
·杂质含量减少后直拉单晶硅的红外光谱图 | 第56-57页 |
·小结 | 第57-58页 |
第五章 生产工艺对直拉单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第58-68页 |
·直拉硅单晶的减压工艺 | 第58-60页 |
·减压工艺的意义 | 第58页 |
·工艺参数 | 第58-59页 |
·氢气导流 | 第59-60页 |
·实验部分 | 第60-61页 |
·实验设备及材料制备 | 第60页 |
·实验方案 | 第60-61页 |
·氢气流量减小对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第61-62页 |
·投料量对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第62-64页 |
·改变晶体旋转速度和柑锅旋转速度对单晶硅中氧、碳含量的影响 | 第64-66页 |
·杂质含量减少后直拉单晶硅的红外光谱图 | 第66-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第六章 改进型热系统对氧碳含量及其分布的影响 | 第68-76页 |
·引言 | 第68页 |
·实验 | 第68-70页 |
·改造热系统 | 第68-69页 |
·基本实验条件 | 第69页 |
·取样及分析测试 | 第69-70页 |
·结果与讨论 | 第70-74页 |
·红外光谱扫描 | 第70-72页 |
·改进型热系统降低单晶硅中氧、碳含量 | 第72-74页 |
·单晶硅中氧、碳含量降低对氧碳分布的影响 | 第74-75页 |
·结论 | 第75-76页 |
第七章 总结与展望 | 第76-79页 |
·总结 | 第76页 |
·存在的问题与展望 | 第76-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第85页 |