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单晶硅中氧和碳的分布及控制方法

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-28页
   ·硅材料概述第11-13页
     ·太阳能级硅材料的发展概况第11-12页
     ·太阳能级硅材料的基本特性第12-13页
   ·单晶硅生长工艺第13-14页
   ·热系统的重要性第14-17页
     ·直拉单晶硅生长过程中的热传输第15-16页
     ·熔体热对流第16-17页
   ·直拉单晶硅生长的工艺过程第17-21页
   ·直拉单晶硅中的氧碳杂质第21-27页
     ·氧和碳对直拉单晶硅的影响第21-22页
     ·直拉单晶硅中氧与碳的引入第22-23页
     ·直拉单晶硅氧碳含量控制的研究进展第23-27页
   ·本论文的选题意义及内容第27-28页
第二章 直拉单晶硅中氧的分布第28-40页
   ·直拉单晶硅中氧的基本性质第28-32页
     ·氧的固溶度第30页
     ·氧的扩散第30-31页
     ·氧含量的测量第31-32页
   ·实验内容第32-35页
     ·实验设备及材料制备第32-34页
     ·实验方案第34-35页
   ·实验结果及讨论第35-39页
     ·直拉单晶硅中氧的红外光谱特征第35-36页
     ·直拉单晶硅中的氧沉淀第36-37页
     ·直拉单晶硅中杂质分布位置第37-38页
     ·直拉单晶硅中氧的轴向分布规律第38-39页
     ·直拉单晶硅中氧的径向分布规律第39页
   ·小结第39-40页
第三章 直拉单晶硅中碳的分布第40-48页
   ·硅中碳的基本性质第40-42页
     ·碳的固溶度第40-41页
     ·碳的分凝第41页
     ·碳的扩散第41-42页
     ·碳含量的测量第42页
   ·实验内容第42-43页
     ·实验设备及材料制备第42页
     ·实验方案第42-43页
   ·实验结果及讨论第43-47页
     ·直拉单晶硅中碳的红外光谱图第43-44页
     ·碳在单晶硅晶棒中的轴向分布规律第44-46页
     ·碳在单晶硅晶棒中的径向分布规律第46-47页
   ·小结第47-48页
第四章 生产设备对直拉单晶硅中氧、碳含量的影响第48-58页
   ·直拉单晶硅中杂质含量的控制方法第48-50页
     ·直拉单晶硅中氧含量的控制方法第48-49页
     ·直拉单晶硅中碳含量的控制方法第49-50页
   ·实验部分第50页
     ·实验设备及材料制备第50页
     ·实验方案第50页
   ·改变热系统中氢气走向对单晶硅中氧、碳含量的影响第50-52页
   ·加热器尺寸减小对单晶硅中氧、碳含量的影响第52-55页
   ·不同石墨器件对单晶硅中氧、碳含量的影响第55-56页
   ·杂质含量减少后直拉单晶硅的红外光谱图第56-57页
   ·小结第57-58页
第五章 生产工艺对直拉单晶硅中氧、碳含量的影响第58-68页
   ·直拉硅单晶的减压工艺第58-60页
     ·减压工艺的意义第58页
     ·工艺参数第58-59页
     ·氢气导流第59-60页
   ·实验部分第60-61页
     ·实验设备及材料制备第60页
     ·实验方案第60-61页
   ·氢气流量减小对单晶硅中氧、碳含量的影响第61-62页
   ·投料量对单晶硅中氧、碳含量的影响第62-64页
   ·改变晶体旋转速度和柑锅旋转速度对单晶硅中氧、碳含量的影响第64-66页
   ·杂质含量减少后直拉单晶硅的红外光谱图第66-67页
   ·小结第67-68页
第六章 改进型热系统对氧碳含量及其分布的影响第68-76页
   ·引言第68页
   ·实验第68-70页
     ·改造热系统第68-69页
     ·基本实验条件第69页
     ·取样及分析测试第69-70页
   ·结果与讨论第70-74页
     ·红外光谱扫描第70-72页
     ·改进型热系统降低单晶硅中氧、碳含量第72-74页
   ·单晶硅中氧、碳含量降低对氧碳分布的影响第74-75页
   ·结论第75-76页
第七章 总结与展望第76-79页
   ·总结第76页
   ·存在的问题与展望第76-79页
参考文献第79-83页
致谢第83-85页
攻读学位期间发表的学术论文第85页

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