| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-25页 |
| ·SOI材料的应用 | 第10-14页 |
| ·SOI材料在集成电路方面应用 | 第10-11页 |
| ·SOI材料在光通信方面的应用 | 第11-14页 |
| ·SOI材料制备方法 | 第14-18页 |
| ·注氧隔离(SIMOX)技术 | 第14-15页 |
| ·键合与背面腐蚀技术(BESOI) | 第15-16页 |
| ·智能剥离(Smart—Cut)技术 | 第16-18页 |
| ·SiGeOI材料发展应用 | 第18-23页 |
| ·SiGe材料在微电子技术中应用 | 第18-20页 |
| ·SiGe材料的性质和特点 | 第20-22页 |
| ·SiGeOI材料 | 第22页 |
| ·SiGeOI材料的制备 | 第22-23页 |
| ·本论文工作 | 第23-25页 |
| 第二章 厚膜SOI材料制备研究 | 第25-49页 |
| ·厚膜SOI材料制备 | 第25-27页 |
| ·厚膜SOI材料制备步骤 | 第25-26页 |
| ·制备原理 | 第26-27页 |
| ·厚膜SOI材料性能表征 | 第27-45页 |
| ·厚膜SOI材料SE测试 | 第27-30页 |
| ·厚膜SOI材料结构表征 | 第30-32页 |
| ·卢瑟福背散射技术分析外延层晶体质量 | 第32-34页 |
| ·厚膜SOI材料电阻率分析 | 第34-37页 |
| ·热处理对SOI衬底和厚膜SOI材料的影响 | 第37-40页 |
| ·厚膜SOI材料缺陷密度表征 | 第40-43页 |
| ·表面与界面AFM表征 | 第43-45页 |
| ·厚膜SOI材料光传输实验 | 第45-47页 |
| ·脊型SOI波导制备 | 第46页 |
| ·波导测试 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 不同氧注入剂量对外延厚膜SOI材料的影响 | 第49-62页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·SOI衬底制备 | 第49页 |
| ·外延生长制各厚膜SOI村料 | 第49-50页 |
| ·样品表征 | 第50-61页 |
| ·Secco液腐蚀观察缺陷密度 | 第50-52页 |
| ·衬底表面表征 | 第52-56页 |
| ·透射电镜(TEM)分析 | 第56-58页 |
| ·卢瑟福背散射(RBS／C)分析 | 第58-60页 |
| ·分析与讨论 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 高温氢处理衬底对外延层的影响 | 第62-72页 |
| ·引言 | 第62-64页 |
| ·实验安排 | 第64页 |
| ·结果与分析 | 第64-71页 |
| ·外延层中缺陷分析 | 第64-65页 |
| ·高温氢处理对SOI衬底的影响 | 第65-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 SiGeOI材料制备研究 | 第72-113页 |
| ·SiGe材料生长介绍 | 第72-75页 |
| ·SGOI材料制备方法 | 第75-76页 |
| ·SiGe／SOI材料制备 | 第75页 |
| ·SGOI材料获得和材料表征 | 第75-76页 |
| ·高Ge浓度SiGe／SOI制备SGOI材料 | 第76-101页 |
| ·SiGe／SOI材料RBS分析 | 第76-77页 |
| ·SiGe／SOI材料Raman分析 | 第77-80页 |
| ·SiGe／SOI材料结构TEM分析 | 第80-83页 |
| ·SiGe／SOI材料四晶衍射分析 | 第83-86页 |
| ·SGOI材料(1#B样品制备)TEM和EDS分析 | 第86-91页 |
| ·SGOI材料(1#B样品制备)应变弛豫和成分分析 | 第91-93页 |
| ·SGOI材料(1#B样品制备)表面分析 | 第93-95页 |
| ·SGOI材料(1#A样品制备)TEM和EDS分析 | 第95-99页 |
| ·SGOI材料(1#A样品制备)应变弛豫和成分分析 | 第99-101页 |
| ·低Ge浓度SiGe／SOI制备SGOI材料 | 第101-112页 |
| ·SiGe／SOI村料应变弛豫和成分分析 | 第101-102页 |
| ·SiGe层氧化过程中成分分析 | 第102-106页 |
| ·SGOI材料Raman和X射线四晶衍射分析 | 第106-109页 |
| ·SiGe层氧化后表面形貌分析 | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 注H在制备SiGeOI材料中作用研究 | 第113-130页 |
| ·实验安排 | 第114页 |
| ·结果与分析 | 第114-128页 |
| ·H离子注入深度模拟 | 第114-115页 |
| ·TEM结构分析 | 第115-117页 |
| ·AES分析成分变化 | 第117-119页 |
| ·AFM表面分析 | 第119-123页 |
| ·二次离子质谱分忻(SIMS) | 第123-126页 |
| ·RBS／C分析晶体质量 | 第126-128页 |
| ·SGOI材料应变弛豫分析 | 第128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 结论 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-145页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文目录 | 第145-148页 |
| 致谢 | 第148-149页 |
| 个人简历 | 第149-150页 |
| 学位论文独创性声明 | 第150页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第150页 |
