应变Si载流子散射机制及特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-12页 |
| ·论文研究内容以及章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 应变Si基本物理特性研究 | 第13-29页 |
| ·应变Si形成机理 | 第13-18页 |
| ·Si晶体结构 | 第13-14页 |
| ·应变Si形成 | 第14-17页 |
| ·应变Si技术优点 | 第17-18页 |
| ·应变Si能带结构 | 第18-21页 |
| ·应变Si导带结构 | 第18-19页 |
| ·应变Si价带结构 | 第19-21页 |
| ·应变Si/弛豫SiGe能带结构 | 第21页 |
| ·应变Si基本物理参数模型 | 第21-28页 |
| ·应变Si状态密度有效质量 | 第22-24页 |
| ·应变Si状态密度 | 第24-25页 |
| ·应变Si电导有效质量 | 第25-26页 |
| ·应变Si迁移率 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 应变Si主要散射机制研究 | 第29-41页 |
| ·量子力学散射机制 | 第29-34页 |
| ·离化杂质散射 | 第34-36页 |
| ·晶格散射 | 第36-39页 |
| ·声学声子散射 | 第36-38页 |
| ·非极性光学声子散射 | 第38-39页 |
| ·谷间声子散射 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 应变Si载流子散射模型及仿真研究 | 第41-54页 |
| ·应变Si电子散射模型及仿真 | 第41-48页 |
| ·离化杂质散射模型仿真 | 第41-43页 |
| ·声学声子散射模型及仿真 | 第43-44页 |
| ·谷间声子散射模型及仿真 | 第44-48页 |
| ·应变Si空穴散射模型及仿真 | 第48-53页 |
| ·离化杂质散射模型及仿真 | 第48-50页 |
| ·声学声子散射模型及仿真 | 第50-51页 |
| ·非极性光学声子散射模型及仿真 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| ·本文总结 | 第54页 |
| ·展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 研究成果 | 第64-65页 |
