| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·微机电系统及其摩擦学问题 | 第11-16页 |
| ·微机电系统概述 | 第11-14页 |
| ·微机电系统摩擦学问题 | 第14-15页 |
| ·微观摩擦学的研究手段 | 第15页 |
| ·MEMS材料的应用 | 第15-16页 |
| ·纳动 | 第16-20页 |
| ·单晶硅的纳动损伤研究 | 第19页 |
| ·薄膜的纳动损伤研究 | 第19-20页 |
| ·划痕损伤研究 | 第20页 |
| ·论文研究意义及内容 | 第20-23页 |
| ·论文的研究意义 | 第20-21页 |
| ·论文的研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验材料和方法 | 第23-34页 |
| ·实验装置 | 第23-26页 |
| ·材料选择、实验参数及分析方法 | 第26-30页 |
| ·材料选择 | 第26-29页 |
| ·实验参数 | 第29-30页 |
| ·材料分析手段 | 第30页 |
| ·实验分析方法 | 第30-34页 |
| ·压痕实验理论分析方法 | 第30-33页 |
| ·划痕实验理论分析方法 | 第33-34页 |
| 第3章 单晶硅和氮化碳薄膜的径向纳动行为研究 | 第34-41页 |
| ·实验材料与方法 | 第34页 |
| ·实验材料 | 第34页 |
| ·实验方法 | 第34页 |
| ·实验结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·单次压痕实验结果 | 第34-39页 |
| ·纳动行为研究 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 压头曲率半径对单晶硅和氮化碳薄膜径向纳动损伤的影响 | 第41-51页 |
| ·实验材料与方法 | 第41-42页 |
| ·实验材料 | 第41页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·单晶硅实验结果与讨论 | 第42-48页 |
| ·纳动曲线 | 第42-44页 |
| ·纳动损伤 | 第44-45页 |
| ·结果讨论 | 第45-48页 |
| ·氮化碳薄膜实验结果 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 划痕速率对单晶硅和氮化碳薄膜划痕损伤的影响 | 第51-60页 |
| ·实验材料与方法 | 第51-52页 |
| ·实验材料 | 第51页 |
| ·实验方法 | 第51-52页 |
| ·单晶硅实验结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·变载结果 | 第52-54页 |
| ·恒载结果 | 第54-56页 |
| ·划痕损伤及讨论 | 第56-57页 |
| ·氮化碳薄膜实验结果 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 不同膜厚DLC薄膜对单晶硅的保护作用 | 第60-64页 |
| ·实验材料和方法 | 第60页 |
| ·实验材料 | 第60页 |
| ·实验方法 | 第60页 |
| ·实验结果与讨论 | 第60-63页 |
| ·压痕实验结果 | 第60-61页 |
| ·划痕实验结果 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及参加的科研项目 | 第72-73页 |