| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·直拉硅中的氧 | 第12-18页 |
| ·硅单晶的生长技术 | 第12-13页 |
| ·氧的引入 | 第13-14页 |
| ·氧的基本性质 | 第14-17页 |
| ·氧的测量 | 第17-18页 |
| ·直拉硅中的氧沉淀 | 第18-23页 |
| ·直拉硅中氧沉淀的基本性质 | 第18-19页 |
| ·氧沉淀形核和长大的热力学和动力学过程 | 第19-21页 |
| ·氮对硅中氧沉淀的影响 | 第21-23页 |
| ·重掺杂对硅中氧沉淀的影响 | 第23-30页 |
| ·重掺P型直拉硅单晶中的氧沉淀行为 | 第24-25页 |
| ·重掺N型直拉硅单晶中的氧沉淀行为 | 第25-28页 |
| ·重掺As硅单晶中的氧沉淀行为 | 第28-30页 |
| ·本文的研究方向 | 第30-31页 |
| 第3章 实验样品和研究方法 | 第31-36页 |
| ·晶体生长和样品制备 | 第31-32页 |
| ·热处理设备 | 第32页 |
| ·普通扩散炉退火(CFA) | 第32页 |
| ·快速热处理炉退火(RTP) | 第32页 |
| ·主要测试方法和测试设备 | 第32-36页 |
| ·硅中氧和氮的浓度以及电阻率的测试方法 | 第32-33页 |
| ·择优腐蚀和光学显微镜 | 第33-34页 |
| ·扫描红外显微镜 | 第34-36页 |
| 第4章 重掺砷直拉硅单晶中的原生氧沉淀 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验方案 | 第37-38页 |
| ·样品参数 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果和分析 | 第38-46页 |
| ·Ramping退火后重掺砷硅单晶中的氧沉淀 | 第38-42页 |
| ·单步高温退火后重掺砷硅单晶中的氧沉淀 | 第42-44页 |
| ·模拟原生氧沉淀 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 高温快速热处理对重掺砷直拉硅中原生氧沉淀的消融作用 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·实验方案 | 第50页 |
| ·样品参数 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50页 |
| ·实验结果和分析 | 第50-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 低温退火对重掺砷硅片中氧沉淀形核的影响 | 第58-76页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验 | 第59-61页 |
| ·实验样品 | 第59-60页 |
| ·实验方案 | 第60-61页 |
| ·实验结果和分析 | 第61-75页 |
| ·低温退火温度对重掺砷硅片中氧沉淀影响的定性分析 | 第61-66页 |
| ·低温退火温度对重掺砷硅片中氧沉淀影响的定量分析 | 第66-69页 |
| ·低温退火时间对重掺砷硅片中氧沉淀形核影响的定性分析 | 第69-72页 |
| ·低温退火时间对重掺砷硅片中氧沉淀形核影响的定量分析 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第7章 总结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附录 | 第85页 |
