| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第8页 |
| ·人工合成金刚石的发展及研究现状 | 第8-10页 |
| ·人工合成金刚石的发展 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10页 |
| ·金刚石的结构与性质 | 第10-14页 |
| ·金刚石与石墨的结构比较 | 第10-12页 |
| ·金刚石的主要性质及应用 | 第12-13页 |
| ·CVD金刚石薄膜与天然金刚石的性能比较 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积金刚石薄膜 | 第14-18页 |
| ·制备金刚石薄膜的方法概述 | 第14-17页 |
| ·各种方法沉积薄膜的速率 | 第17-18页 |
| ·提高生长速率的方法 | 第18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 CVD法制备金刚石薄膜的机理 | 第20-30页 |
| ·CVD法制备金刚石薄膜的成核机理 | 第20-23页 |
| ·成核过程 | 第20-21页 |
| ·促进成核的方法 | 第21-23页 |
| ·CVD法制备金刚石薄膜的生长机理 | 第23-30页 |
| ·金刚石薄膜生长的理论模型 | 第23-27页 |
| ·氢原子的作用 | 第27-30页 |
| 第三章 实验设备及样品制备 | 第30-38页 |
| ·实验设备简介 | 第30-32页 |
| ·样品表征方法及测试设备 | 第32-34页 |
| ·金刚石薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·衬底材料的选择 | 第34页 |
| ·衬底材料的预处理 | 第34-35页 |
| ·金刚石薄膜的制备过程 | 第35-36页 |
| ·金刚石薄膜高速生长工艺设计 | 第36-38页 |
| 第四章 工艺参数对HFCVD金刚石薄膜生长速率的影响 | 第38-46页 |
| ·碳源浓度对薄膜生长速率的影响 | 第38-40页 |
| ·衬底温度对薄膜生长速率的影响 | 第40-41页 |
| ·反应室压强对薄膜生长速率的影响 | 第41-43页 |
| ·热丝与衬底间的距离对薄膜生长速率的影响 | 第43-44页 |
| ·优化的工艺条件 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 直流等离子体喷射辅助HFCVD法提高金刚石生长速率的研究 | 第46-68页 |
| ·直流等离子体喷射阵列的设计原理 | 第46-48页 |
| ·直流等离子体喷射辅助HFCVD沉积金刚石薄膜 | 第48-54页 |
| ·直流辅助电压对生长速率的影响 | 第48-49页 |
| ·直流辅助电压对成核的影响 | 第49-52页 |
| ·直流辅助电压参数的选择 | 第52-54页 |
| ·直流等离子体喷射辅助HFCVD生长工艺优化 | 第54-65页 |
| ·150V电压下碳源浓度对薄膜生长速率的影响 | 第55-57页 |
| ·150V电压下衬底温度对薄膜生长速率的影响 | 第57-60页 |
| ·150V电压下反应室压强对薄膜生长速率的影响 | 第60-62页 |
| ·150V电压下热丝与衬底间距离对薄膜生长速率的影响 | 第62-65页 |
| ·影响金刚石薄膜生长速率的其他因素 | 第65页 |
| ·优化的高速生长工艺参数 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结 | 第68-71页 |
| ·工作总结 | 第68-69页 |
| ·下一步工作要解决的问题 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
