利用工艺诱生应变技术制备应变硅材料
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第8-9页 |
| ·工艺诱生应变技术国内外发展状况 | 第9-10页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 应变硅技术原理 | 第11-24页 |
| ·应变硅技术 | 第11-13页 |
| ·应变方式分类 | 第11页 |
| ·产生应变的几种方法 | 第11-13页 |
| ·应变硅材料的能带结构 | 第13-20页 |
| ·应变对导带结构的影响 | 第14-15页 |
| ·应变对价带结构的影响 | 第15-20页 |
| ·应变硅材料的迁移率 | 第20-23页 |
| ·应变对电子迁移率的影响 | 第20-21页 |
| ·应变对空穴迁移率的影响 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 STI 工艺诱生应变实验与参数表征 | 第24-40页 |
| ·STI 工艺诱生应变的机理分析 | 第24-25页 |
| ·STI 工艺诱生应变实验 | 第25-33页 |
| ·结构尺寸及版图设计 | 第25-27页 |
| ·工艺流程设计 | 第27-29页 |
| ·实验前衬底的表面处理 | 第29页 |
| ·光刻工艺的控制 | 第29-30页 |
| ·RIE 工艺的控制 | 第30-32页 |
| ·热氧化工艺的控制 | 第32-33页 |
| ·STI 工艺诱生应变的表征与分析 | 第33-38页 |
| ·SEM 测试表征与分析 | 第33-36页 |
| ·HRXRD 测试结果与分析 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 氮化硅盖帽工艺诱生应变实验与参数表征 | 第40-63页 |
| ·氮化硅盖帽工艺诱生应变的机理分析 | 第40-41页 |
| ·氮化硅盖帽层的淀积 | 第41-43页 |
| ·薄膜的淀积方法 | 第41-42页 |
| ·氮化硅薄膜的淀积方法 | 第42-43页 |
| ·氮化硅盖帽工艺诱生应变实验 | 第43-45页 |
| ·实验方法的设计 | 第43-44页 |
| ·实验过程及实验条件 | 第44-45页 |
| ·测试表征方法研究 | 第45-53页 |
| ·测试方法 | 第45-50页 |
| ·表征方法 | 第50-53页 |
| ·氮化硅盖帽工艺诱生应变实验的测试结果与分析 | 第53-62页 |
| ·LPCVD 氮化硅膜测试结果 | 第53-57页 |
| ·高频PECVD 氮化硅膜测试结果 | 第57-61页 |
| ·两种淀积方法的对比分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
