硅材料应力引入技术的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·应变硅技术的研究意义 | 第8-9页 |
| ·应变硅技术简介 | 第9页 |
| ·国内外发展动态 | 第9-11页 |
| ·本论文主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 应变硅技术的原理 | 第12-23页 |
| ·应变硅的能带结构 | 第12-15页 |
| ·应变增强载流子迁移率的机理 | 第15-16页 |
| ·应变增强电子迁移率的机理 | 第15页 |
| ·应变增强空穴迁移率的机理 | 第15-16页 |
| ·应变硅技术分类 | 第16-21页 |
| ·全局应变技术 | 第17-18页 |
| ·局部应变技术 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 氮化硅盖帽层应力的实验研究 | 第23-45页 |
| ·作为局部应力技术的氮化硅盖帽层 | 第23-24页 |
| ·氮化硅薄膜应力的产生机理 | 第24-26页 |
| ·氮化硅薄膜的热应力 | 第24-25页 |
| ·氮化硅薄膜的本征应力 | 第25-26页 |
| ·氮化硅薄膜的制备方法 | 第26-27页 |
| ·压应力氮化硅薄膜的制备方法 | 第26页 |
| ·张应力氮化硅薄膜的制备方法 | 第26-27页 |
| ·氮化硅盖帽层的实验研究 | 第27-35页 |
| ·实验设计 | 第27-28页 |
| ·样品制备 | 第28-30页 |
| ·实验样品的应变表征介绍 | 第30-35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-44页 |
| ·LPCVD氮化硅盖帽层 | 第35-38页 |
| ·HF-PECVD氮化硅盖帽层 | 第38-41页 |
| ·带图形的氮化硅盖帽层 | 第41-43页 |
| ·综合分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 STI诱生应力的实验研究 | 第45-55页 |
| ·STI诱生应力技术 | 第45-47页 |
| ·STI诱生应力的产生机理 | 第45-46页 |
| ·影响STI诱生应力的因素 | 第46-47页 |
| ·STI诱生应力的实验研究 | 第47-51页 |
| ·实验设计 | 第47-48页 |
| ·样品制备 | 第48-51页 |
| ·实验结果与分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在学期间的研究成果 | 第61页 |
