| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-12页 |
| ·离子束技术与计算机模拟 | 第8-9页 |
| ·Si及SiC概述 | 第9-10页 |
| ·本论文的研究意义以及主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 离子束与固体相互作用的基本现象及原理 | 第12-35页 |
| ·离子与固体相互作用的基本现象 | 第12-15页 |
| ·离子与固体表面相互作用的基本概念 | 第12-14页 |
| ·各种粒子的发射现象 | 第14页 |
| ·从靶上观察到的变化 | 第14-15页 |
| ·离子与固体相互作用的基本理论 | 第15-34页 |
| ·原子间相互作用势 | 第16-20页 |
| ·离子在靶中的射程分布 | 第20-34页 |
| ·散射截面 | 第21-26页 |
| ·核与电子的阻止本领S_n(E),S_e(E) | 第26-33页 |
| ·射程及偏差 | 第33页 |
| ·入射离子在靶中的浓度分布 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 离子束与固体相互作用的计算机模拟方法 | 第35-48页 |
| ·计算机模拟的基本思想和发展简介 | 第35-36页 |
| ·分子动力学MD(Molecular Dynamics)模拟 | 第36-43页 |
| ·分子动力学模拟原理 | 第37-38页 |
| ·数值积分方法 | 第38-39页 |
| ·边界条件以及时间步长 | 第39-41页 |
| ·样品的制备以及相关角度的定义 | 第41-43页 |
| ·蒙特卡诺模拟MC | 第43-47页 |
| ·蒙特卡诺模拟简介 | 第43-44页 |
| ·随机数和随机变量的产生 | 第44-45页 |
| ·SRIM程序简介 | 第45-46页 |
| ·样品的描述以及相关角度的定义 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 离子束与Si表面相互作用的MD模拟 | 第48-69页 |
| ·模拟参数的设置 | 第48-49页 |
| ·垂直入射 | 第49-56页 |
| ·硅的溅射率 | 第49-50页 |
| ·Ar~+与硅表面的相互作用机制 | 第50-53页 |
| ·非晶化过程 | 第53-56页 |
| ·低角度入射 | 第56-67页 |
| ·离子的轨迹 | 第57-59页 |
| ·角度的变化情况 | 第59-61页 |
| ·势能的变化情况 | 第61-62页 |
| ·角度以及能量损失分布 | 第62-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 离子束与SiC表面相互作用的MC模拟 | 第69-79页 |
| ·模拟参数的设置 | 第69页 |
| ·入射离子的分布 | 第69-72页 |
| ·注入离子 | 第69-71页 |
| ·散射离子 | 第71-72页 |
| ·溅射率 | 第72-75页 |
| ·垂直入射 | 第72-74页 |
| ·不同角度入射 | 第74-75页 |
| ·溅射原子的角度及其能量分布 | 第75-78页 |
| ·本章小节 | 第78-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 附录:发表论文 | 第86-87页 |