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多孔硅的制备及发光机理的研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第1章 引言第9-14页
   ·硅材料第9页
   ·多孔硅材料第9页
   ·多孔硅的发展史第9-10页
   ·多孔硅的应用及发展前景第10-11页
   ·多孔硅的研究意义第11-12页
   ·本论文的研究目标和主要内容第12页
   ·本章小结第12-14页
第2章 多孔硅的研究现状第14-21页
   ·多孔硅的制备方法第14-17页
     ·电化学腐蚀法(又称阳极腐蚀法)第14-16页
     ·光化学腐蚀法第16页
     ·化学腐蚀法第16页
     ·水热腐蚀法第16页
     ·脉冲腐蚀法第16-17页
   ·多孔硅的形成机理第17页
   ·多孔硅的微观结构第17页
   ·多孔硅的发光机理第17-18页
   ·多孔硅的后处理第18-19页
     ·表面氧化处理第18页
     ·钝化处理第18-19页
     ·本文采用的两种简单后处理方法第19页
   ·本章小结第19-21页
第3章 实验器材及光谱测试第21-25页
   ·实验原料第21页
   ·实验装置第21-22页
   ·硅片的清洗第22-23页
   ·光谱测试第23-24页
   ·本章小结第24-25页
第4章 发光强度高且发光稳定的多孔硅制备第25-42页
   ·发光强度较高的多孔硅的制备第25-31页
     ·腐蚀时间对多孔硅发光特性的影响第25-27页
     ·腐蚀电流密度对多孔硅发光特性的影响第27-30页
     ·自然氧化时间对多孔硅发光特性的影响第30-31页
   ·发光稳定的多孔硅的制备第31-36页
     ·阴极还原处理后的多孔硅第31-33页
     ·酸处理后的多孔硅第33-34页
     ·阴极还原后多孔硅的发光稳定性研究第34-35页
     ·酸处理后多孔硅的稳定性的研究第35-36页
   ·多孔硅表面均匀性的研究第36-40页
     ·未处理多孔硅表面不同位置的发光情况第36-37页
     ·阴极还原处理后多孔硅表面不同位置的发光情况第37-38页
     ·酸处理后多孔硅表面不同位置的发光情况研究第38-40页
   ·本章小结第40-42页
第5章 多孔硅的发光及发光机理第42-51页
   ·多孔硅的光致发光第42页
   ·现今几种多孔硅的光致发光机理第42-44页
     ·量子限制效应第42-43页
     ·表面态模型第43页
     ·量子限制效应/发光中心模型第43页
     ·其他的多孔硅光致发光模型第43-44页
   ·对多孔硅光致发光机理的探讨第44-47页
     ·对量子限制效应的探讨第44-46页
     ·对表面态的探讨第46页
     ·对其他多孔硅光致发光模型的探讨第46页
     ·对多孔硅光致发光机理的正确认识第46-47页
   ·多孔硅的电致发光第47-50页
     ·多孔硅的电致发光机理第48页
     ·多孔硅电致发光方面的应用第48-50页
   ·本章小结第50-51页
第6章 结论与展望第51-54页
   ·结论第51-52页
   ·研究工作的展望第52-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-59页
攻读硕士学位期间的研究成果第59页

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