Si基应变材料能带结构研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章 绪论	第8-14页
·引言	第8-9页
·国内外研究发展状况	第9-13页
·本论文主要工作内容及意义	第13-14页
第二章 应变Si/SiGe基本物理特性模型	第14-30页
·Si基应变材料体系的晶格结构	第14-16页
·应变Si物理模型	第16-23页
·应变Si能带结构	第16-17页
·应变Si载流子有效质量	第17-18页
·应变Si有效状态密度和本征载流子浓度	第18-20页
·应变Si迁移率模型	第20-23页
·应变SiGe物理模型	第23-28页
·应变SiGe能带结构	第23-25页
·应变SiGe载流子有效质量	第25页
·应变SiGe有效状态密度和本征载流子浓度	第25-27页
·应变SiGe 载流子迁移率	第27页
·应变SiGe 介电常数	第27-28页
·Si/SiGe异质结量子阱和二维载流子气	第28-29页
·本章小结	第29-30页
第三章 应变Si/SiGe能带结构模型研究	第30-62页
·能带计算方法	第30-34页
·密度泛函理论	第30-32页
·紧束缚理论	第32-33页
·k·p理论	第33-34页
·应变Si/SiGe能带结构模型	第34-59页
·定态微扰理论	第34-37页
·弛豫价带结构模型	第37-44页
·形变势模型	第44-47页
·应变价带结构模型	第47-57页
·解析法与数值法的比较	第57-58页
·应变导带结构	第58-59页
·本章小结	第59-62页
第四章 结论	第62-64页
致谢	第64-66页
参考文献	第66-74页
研究成果	第74页