| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1-1 引言 | 第8页 |
| §1-2 高能电子辐照 | 第8-9页 |
| §1-3 高能电子辐照产生的缺陷 | 第9-13页 |
| 1-3-1 半导体材料的辐射损伤 | 第9-10页 |
| 1-3-2 辐照缺陷的产生机理 | 第10-11页 |
| 1-3-3 辐照缺陷对电学性能的影响 | 第11-13页 |
| §1-4 辐照缺陷与硅中氧的相互作用 | 第13-14页 |
| §1-5 快速热处理行为 | 第14-15页 |
| §1-6 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 实验过程 | 第18-26页 |
| §2-1 样品制备 | 第18-19页 |
| §2-2 电子辐照 | 第19-20页 |
| §2-3 热处理 | 第20-21页 |
| 2-3-1 常规热处理 | 第20页 |
| 2-3-2 快速热处理 | 第20-21页 |
| §2-4 缺陷的腐蚀和观察 | 第21-22页 |
| §2-5 电学性能测试 | 第22-24页 |
| §2-6 傅立叶变换红外光谱分析 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 电子辐照直拉硅中的 A 中心及相关缺陷 | 第26-38页 |
| §3-1 引言 | 第26页 |
| §3-2 实验过程 | 第26-27页 |
| §3-3 实验结果与讨论 | 第27-35页 |
| 3-3-1 不同辐照剂量样品的 IR 吸收谱 | 第27-28页 |
| 3-3-2 不同辐照剂量样品中VO 的退火行为 | 第28-31页 |
| 3-3-3 不同辐照剂量样品中 VO_2 的退火行为 | 第31-32页 |
| 3-3-4 电子辐照 CZ-Si 的 PAS 研究 | 第32-35页 |
| §3-4 小结 | 第35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第四章 电子辐照对直拉硅电学性能的影响 | 第38-47页 |
| §4-1 引言 | 第38页 |
| §4-2 实验过程 | 第38-39页 |
| §4-3 实验结果与讨论 | 第39-45页 |
| 4-3-1 不同温度热处理后样品电学参数的变化 | 第39-40页 |
| 4-3-2 750℃热处理辐照施主浓度随退火时间的变化 | 第40-42页 |
| 4-3-3 650℃预处理对辐照施主形成的影响 | 第42-45页 |
| §4-4 小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第五章 电子辐照缺陷与直拉硅中氧的相互作用 | 第47-58页 |
| §5-1 引言 | 第47-48页 |
| §5-2 实验过程 | 第48页 |
| §5-3 实验结果与讨论 | 第48-55页 |
| 5-3-1 退火温度对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响 | 第48-51页 |
| 5-3-2 RTP 对电子辐照直拉硅中氧沉淀进程的影响 | 第51页 |
| 5-3-3 RTP 对电子辐照直拉硅中清洁区的影响 | 第51-55页 |
| §5-4 小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第60页 |
