| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·半导体工业发展和半导体测量学发展概况 | 第9-11页 |
| ·半导体工业发展 | 第9-10页 |
| ·半导体测量学发展概况 | 第10-11页 |
| ·缺陷模式分析研究概况 | 第11-16页 |
| ·成品率学习模型 | 第11-12页 |
| ·数据测量与分析 | 第12-15页 |
| ·缺陷模式分析 | 第15-16页 |
| ·论文研究背景 | 第16-17页 |
| ·论文研究工作 | 第17-19页 |
| ·论文主要贡献 | 第19-21页 |
| 第二章 缺陷模式分析基本问题 | 第21-33页 |
| ·缺陷类型 | 第21-24页 |
| ·材料缺陷（Material Defects） | 第21-23页 |
| ·划痕(Scratch) | 第23-24页 |
| ·边缘缺陷(Edge defects) | 第24页 |
| ·缺陷空间分布 | 第24-30页 |
| ·缺陷空间分布基本形状 | 第24页 |
| ·缺陷空间分布分析基本方法 | 第24-30页 |
| ·缺陷分析问题思考 | 第30-33页 |
| 第三章 谱聚类理论、算法及仿真研究 | 第33-61页 |
| ·谱聚类理论基本概念 | 第33-42页 |
| ·图论基本概念 | 第33-37页 |
| ·几个定理及推论 | 第37-42页 |
| ·谱聚类算法分析 | 第42-60页 |
| ·SM 算法 | 第42-48页 |
| ·Min-Max Cut 算法 | 第48-52页 |
| ·NJW 算法 | 第52-56页 |
| ·FP 算法 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 谱聚类算法分割硅晶片线状缺陷 | 第61-73页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·缺陷分割前预处理 | 第61-65页 |
| ·Dengrogram 缺陷聚类步骤 | 第62-63页 |
| ·样本聚类实验 | 第63-65页 |
| ·硅晶片缺陷谱分割方法 | 第65-71页 |
| ·样本1 分割实验 | 第66-70页 |
| ·样本2 分割实验结果 | 第70-71页 |
| ·结论 | 第71-73页 |
| 第五章 局部异常因子及其在缺陷模式分析中应用 | 第73-91页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·异常检测方法 | 第73-75页 |
| ·基于统计分布方法(Distribution-based) | 第73-74页 |
| ·基于深度方法(Depth-based) | 第74页 |
| ·聚类方法(Clustering) | 第74页 |
| ·基于距离方法(Distance-based) | 第74页 |
| ·基于密度方法(Density-based) | 第74-75页 |
| ·局部异常因子方法LOF(Local Outlier Factor) | 第75-78页 |
| ·异常检测中距离和密度定义 | 第75-77页 |
| ·MinPts 的选取 | 第77-78页 |
| ·多粒度偏差因子MDEF | 第78-81页 |
| ·基于k－近邻的异常检测方法(Outlier factor k-NN based) | 第81-82页 |
| ·基于k－近邻异常因子硅晶片缺陷聚类分析 | 第82-89页 |
| ·结论 | 第89-91页 |
| 第六章 主曲线和多边形线算法分析与应用 | 第91-103页 |
| ·主曲线算法 | 第91-94页 |
| ·主曲线定义 | 第91-93页 |
| ·主曲线算法分析 | 第93-94页 |
| ·多边形线算法 | 第94-100页 |
| ·有约束长度主曲线定义 | 第94-95页 |
| ·多边形线算法 | 第95-100页 |
| ·缺陷辨识实验分析 | 第100-102页 |
| ·结论 | 第102-103页 |
| 第七章 结束语 | 第103-107页 |
| ·研究工作总结 | 第103-105页 |
| ·未来研究展望 | 第105-107页 |
| ·缺陷模式分析的问题 | 第105-106页 |
| ·今后工作展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-114页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 附录 | 第116页 |
