金属硅化物熔体中不同形貌碳化硅晶体的生长研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 第一部分 助溶剂法SiC单晶的生长研究 | 第15-99页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| ·SiC单晶的发展历史 | 第15-16页 |
| ·SiC单晶的结构和性质 | 第16-21页 |
| ·SiC单晶的结构 | 第16-18页 |
| ·SiC单晶的性质 | 第18-21页 |
| ·SiC晶体材料的生长技术 | 第21-26页 |
| ·Acheson法和Lely法 | 第21-22页 |
| ·物理气相传输法 | 第22-23页 |
| ·外延生长技术 | 第23-26页 |
| ·课题的提出 | 第26-28页 |
| ·研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验方法 | 第29-35页 |
| ·原始材料 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·金属硅化物的配制 | 第29-30页 |
| ·实验方法 | 第30-32页 |
| ·自发熔渗法 | 第30-31页 |
| ·高温助溶剂法 | 第31-32页 |
| ·测试方法 | 第32-35页 |
| ·X射线衍射分析 | 第32页 |
| ·形貌分析 | 第32-33页 |
| ·Raman分析 | 第33-34页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第34-35页 |
| 第三章 Fe-Si化合物熔体中SiC晶体生长研究 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·自发熔渗实验 | 第35-44页 |
| ·自发熔渗实验的准备 | 第35-36页 |
| ·性能测试和表征 | 第36-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·高温助溶剂法晶体生长实验 | 第44-50页 |
| ·形貌分析 | 第44-48页 |
| ·XRD分析 | 第48-49页 |
| ·Raman分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 Co-Si化合物熔体中SiC晶体生长研究 | 第52-73页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·熔体自发浸渗实验 | 第52-63页 |
| ·相成分分析 | 第54-55页 |
| ·形貌分析 | 第55-63页 |
| ·助溶剂法晶体生长实验 | 第63-67页 |
| ·形貌分析 | 第63-67页 |
| ·添加Cr对SiC析晶的影响 | 第67页 |
| ·熔体中SiC析晶的相图分析 | 第67-68页 |
| ·不同体系生长速率的比较 | 第68-71页 |
| ·Raman分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 Ti-Si化合物熔体中SiC晶体生长研究 | 第73-81页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·实验 | 第73-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·XRD分析 | 第74页 |
| ·形貌分析 | 第74-77页 |
| ·Raman分析 | 第77-78页 |
| ·PL谱分析 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第六章 晶核长大及微管形成的动力学研究 | 第81-88页 |
| ·晶核形成及长大的动力学研究 | 第81-84页 |
| ·晶体中微管的形成机理分析 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第七章 总结 | 第88-91页 |
| ·Fe-Si化合物熔体中SiC的析晶情况 | 第88-89页 |
| ·Co-Si化合物熔体中SiC的析晶情况 | 第89页 |
| ·Ti-Si化合物熔体中SiC的析晶情况 | 第89-90页 |
| ·展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 第二部分 SiC一维纳米材料的制备研究 | 第99-157页 |
| 第八章 SiC纳米技术综述 | 第99-109页 |
| ·纳米材料的发展 | 第99-100页 |
| ·纳米材料的特性 | 第100-102页 |
| ·量子尺寸效应 | 第100-101页 |
| ·小尺寸效应 | 第101页 |
| ·表面效应 | 第101-102页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第102页 |
| ·SiC纳米晶须、纳米线的发展 | 第102-103页 |
| ·SiC一维纳米材料的生长机制 | 第103-107页 |
| ·气-液-固生长机制 | 第103-105页 |
| ·气-固生长机制 | 第105-107页 |
| ·本课题的提出及研究内容 | 第107-109页 |
| 第九章 金属硅化物熔体中SiC纳米材料的生长研究 | 第109-138页 |
| ·引言 | 第109-110页 |
| ·实验方案及分析方法 | 第110-112页 |
| ·实验方案 | 第110页 |
| ·分析方法 | 第110-112页 |
| ·方案(一)结果及分析 | 第112-117页 |
| ·产物的形貌分析 | 第112-113页 |
| ·产物的成分分析 | 第113-116页 |
| ·透射电镜分析 | 第116-117页 |
| ·方案(二)结果及分析 | 第117-131页 |
| ·FeSi体系 | 第117-124页 |
| ·Ni-Si体系 | 第124-131页 |
| ·生长机理分析 | 第131-136页 |
| ·两种实验方案的比较 | 第136-137页 |
| ·本章小结 | 第137-138页 |
| 第十章 热蒸发法SiC纳米棒的制备 | 第138-148页 |
| ·引言 | 第138页 |
| ·实验 | 第138-139页 |
| ·实验结果及分析 | 第139-147页 |
| ·XRD分析 | 第139-140页 |
| ·SEM形貌分析 | 第140-142页 |
| ·TEM分析 | 第142-143页 |
| ·生长机理分析 | 第143-145页 |
| ·Raman分析 | 第145-146页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第146-147页 |
| ·本章小结 | 第147-148页 |
| 第十一章 总结与展望 | 第148-150页 |
| ·总结 | 第148-149页 |
| ·展望 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-157页 |
| 攻博期间发表及待发表的论文、专利 | 第157-159页 |
| 致谢 | 第159页 |
