| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-19页 |
| 参考文献 | 第14-19页 |
| 第一部分 O_3环境制备和钝化多孔硅研究 | 第19-41页 |
| 第二章 O_3环境制备和钝化多孔硅研究 | 第20-39页 |
| ·多孔硅的制备 | 第20-22页 |
| ·标准法 | 第20-21页 |
| ·改进法 | 第21-22页 |
| ·XPS测试分析5-ini-O_3-1h样品表面的氧化情况 | 第22-27页 |
| ·新鲜样品 PL 比较 | 第27-32页 |
| ·多孔硅样品发光机理解释 | 第27-28页 |
| ·FTIR 测试 | 第28-32页 |
| ·改进法制备样品的 PL 稳定性研究 | 第32-38页 |
| ·5-ini-O-1h样品在激光激发下的PL衰减 | 第32-35页 |
| ·5-ini-O_3-1h样品PL及表面化学成分稳定性的研究 | 第35-36页 |
| ·O_3环境制备和钝化的PS存放与别人的存放实验比较 | 第36-38页 |
| ·第一部分小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第二部分 Si-MSM-PD 的器件优化设计与制备 | 第41-93页 |
| 第三章 Si-MSM-PD 的基本工作原理和器件优化设计 | 第42-59页 |
| ·硅MSM探测器工作原理 | 第42-51页 |
| ·能带结构 | 第43-47页 |
| ·电流－电压特性 | 第47-48页 |
| ·电容－电压特性 | 第48-49页 |
| ·MSM 探测器的几个主要性能参数 | 第49-51页 |
| ·U 型凹槽电极 Si-MSM-PD 的结构优化设计 | 第51-58页 |
| ·凹槽电极器件结构设计 | 第51-53页 |
| ·钝化层的设计 | 第53-54页 |
| ·器件结构尺寸的设计 | 第54-55页 |
| ·金属电极的选择 | 第55-56页 |
| ·器件设计结果 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 版图设计与器件制备 | 第59-74页 |
| ·版图设计 | 第59-61页 |
| ·器件制备 | 第61-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 器件测试分析与结论 | 第74-91页 |
| ·暗电流测试并分析比较 | 第74-79页 |
| ·光电流测试并分析比较 | 第79-83页 |
| ·相对响应光谱 | 第83-85页 |
| ·绝对光电响应度 | 第85-88页 |
| ·第二部分小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第六章 总结 | 第91-93页 |
| 附录 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
