薄层硅外延材料的研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| §1-1 选题背景 | 第8-9页 |
| §1-2 研究内容及意义 | 第9-12页 |
| 1-2-1 硅外延生长技术的问题与研究现 | 第9-10页 |
| 1-2-2 课题研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 硅外延技术及实验测试方法 | 第12-32页 |
| §2-1 外延生长基本概念 | 第12页 |
| §2-2 硅外延的优越性 | 第12-15页 |
| §2-3 硅外延原理 | 第15-23页 |
| 2-3-1 硅外延的反应源与化学反应 | 第17-19页 |
| 2-3-2 外延中的搀杂 | 第19-20页 |
| 2-3-3 外延生长动力学 | 第20-23页 |
| §2-4 硅外延的设备与测试技术 | 第23-32页 |
| 2-4-1 硅外延厚度的测量 | 第25-28页 |
| 2-4-2 外延层电阻率的测量 | 第28-32页 |
| 第三章 Φ6″薄层硅外延技术 | 第32-39页 |
| §3-1 薄层硅外延面临的挑战 | 第32-35页 |
| §3-2 减压外延法下的薄层硅外 | 第35-37页 |
| §3-3 试验与结果 | 第37-38页 |
| §3-4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 锗硅／硅异质外延的研究 | 第39-45页 |
| §4-1 锗硅／硅外延的背景 | 第39-41页 |
| 4-1-1 锗硅／硅外延的应用 | 第39-40页 |
| 4-1-2 锗硅／硅外延技术 | 第40页 |
| 4-1-3 SIGE HBT的主要优势 | 第40-41页 |
| §4-2 锗硅／硅外延方法 | 第41-42页 |
| §4-3 试验与结果 | 第42-44页 |
| §4-4 小结 | 第44-45页 |
| 第五章 Φ8″硅外延 | 第45-47页 |
| §5-1 Φ8″硅外延背景及技术 | 第45页 |
| §5-2 试验与结果 | 第45-46页 |
| §5-3 小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52页 |
