| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-34页 |
| ·单晶硅的基本力学性能 | 第14-17页 |
| ·单晶硅的晶体结构 | 第14页 |
| ·单晶硅的硬度 | 第14页 |
| ·单晶硅的弹塑性形变 | 第14-15页 |
| ·单晶硅的接触损伤和断裂韧性 | 第15-17页 |
| ·杂质对单晶硅基本力学性质的影响 | 第17页 |
| ·单晶硅中位错的运动 | 第17-20页 |
| ·单晶硅中位错的运动机制 | 第17-18页 |
| ·位错滑移的临界切应力 | 第18-19页 |
| ·应力和温度对位错滑移速率的影响 | 第19-20页 |
| ·显微压痕残余应力下位错的运动 | 第20页 |
| ·杂质对硅中位错运动的影响 | 第20-26页 |
| ·杂质对位错运动的临界应力的影响 | 第20-22页 |
| ·杂质对位错运动速率的影响 | 第22-23页 |
| ·杂质原子对位错滑移的钉扎作用 | 第23-26页 |
| ·纳米压痕方法研究单晶硅的机械性能 | 第26-32页 |
| ·纳米压痕实验法 | 第26-27页 |
| ·纳米压痕法测量材料的模量和硬度 | 第27-29页 |
| ·单晶硅在纳米压痕过程中的相变行为 | 第29-31页 |
| ·杂质对单晶硅纳米力学性能的影响 | 第31-32页 |
| ·本文的研究目的和内容 | 第32-34页 |
| 第三章 实验样品及设备 | 第34-40页 |
| ·实验样品及制备 | 第34-35页 |
| ·实验样品 | 第34页 |
| ·样品制备和预处理 | 第34-35页 |
| ·主要实验设备 | 第35-40页 |
| ·显微维氏硬度仪 | 第35-36页 |
| ·普通热处理炉 | 第36页 |
| ·快速热处理炉 | 第36-37页 |
| ·光学显微镜与择优腐蚀 | 第37页 |
| ·纳米压痕测试设备 | 第37-40页 |
| 第四章 硅单晶中位错在快速热处理过程中的滑移行为 | 第40-48页 |
| 摘要 | 第40页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·实验样品 | 第40-41页 |
| ·实验过程 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-46页 |
| ·RTP热处理时CZ硅片中位错的滑移情况 | 第41-43页 |
| ·热处理气氛对CZ硅中位错在RTP过程中最大滑移距离的影响 | 第43-44页 |
| ·氮气氛下RTP注入的氮与CZ硅中氧原子对位错钉扎能力的比较 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 快速热处理预处理对直拉硅单晶中位错滑移的影响 | 第48-56页 |
| 摘要 | 第48页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验 | 第48-50页 |
| ·实验样品 | 第48-49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·实验结果与分析 | 第50-55页 |
| ·不同温度热处理过程中位错滑移距离与热处理时间的关系 | 第50-52页 |
| ·高温RTP预处理对硅片中位错最大滑移距离的影响 | 第52-53页 |
| ·氧沉淀对硅片中位错滑移的影响 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 快速热处理对硅单晶纳米压痕力学行为的影响 | 第56-66页 |
| 摘要 | 第56页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验 | 第56-58页 |
| ·实验样品 | 第56-57页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·实验结果与分析 | 第58-64页 |
| ·不同气氛下RTP处理对硅单晶纳米压痕力学行为的影响 | 第58-60页 |
| ·不同气氛下RTP处理对硅单晶压痕断裂韧性的影响 | 第60-63页 |
| ·不同气氛下RTP处理对直拉硅单晶相变的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第七章 全文总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 个人简介 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第80页 |
