利用DLTS技术研究黑硅的钝化和表面态
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·太阳电池简介 | 第8-12页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第8-10页 |
| ·太阳电池的发展历史 | 第10页 |
| ·单晶硅太阳电池 | 第10-12页 |
| ·黑硅材料简介 | 第12-15页 |
| ·单晶硅太阳电池陷光结构 | 第12-13页 |
| ·黑硅的发展概况 | 第13-14页 |
| ·黑硅的主要性能 | 第14-15页 |
| ·单晶硅太阳电池的表面复合及钝化 | 第15-17页 |
| ·单晶硅太阳电池的表面复合 | 第15-16页 |
| ·单晶硅太阳电池的钝化 | 第16-17页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第17-18页 |
| 本章小结 | 第18-19页 |
| 2 DLTS理论基础及实验设备的搭建 | 第19-35页 |
| ·DLTS的理论基础 | 第19-30页 |
| ·产生-复合理论 | 第19-22页 |
| ·电容的瞬态测量法 | 第22-26页 |
| ·深能级瞬态谱 | 第26-28页 |
| ·几种DLTS方法 | 第28-30页 |
| ·实验设备的建立 | 第30-34页 |
| ·低温部分 | 第30-32页 |
| ·测试部分 | 第32-33页 |
| ·输出部分 | 第33-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 本文所用的其他测试分析方法 | 第35-38页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| ·电容-电压测试 | 第36页 |
| ·表面光伏技术 | 第36-37页 |
| 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 黑硅太阳电池的测试与分析 | 第38-45页 |
| ·黑硅太阳电池的制备 | 第38-40页 |
| ·衬底制备 | 第38页 |
| ·清洗、制绒 | 第38-39页 |
| ·扩散形成pn结 | 第39页 |
| ·周边刻蚀及去除背结 | 第39-40页 |
| ·减反射膜和钝化膜 | 第40页 |
| ·电极的制备 | 第40页 |
| ·黑硅太阳电池的DLTS测试 | 第40-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 黑硅的钝化和表面态 | 第45-57页 |
| ·实验 | 第45-47页 |
| ·样品制备 | 第45-46页 |
| ·样品测试 | 第46-47页 |
| ·黑硅的表面形貌分析 | 第47-48页 |
| ·样品的C-V测试 | 第48页 |
| ·样品的DLTS测试和表面态研究 | 第48-54页 |
| ·表面态与体缺陷的区分 | 第50-51页 |
| ·样品体缺陷的分析 | 第51-52页 |
| ·样品表面态的分析 | 第52-54页 |
| ·样品的表面光伏谱测试 | 第54-55页 |
| 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
