半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第10-12页 |
| 第二章 碳化硅材料的概述 | 第12-26页 |
| ·SiC 的多型结构 | 第12-14页 |
| ·SiC 的性质及应用 | 第14-16页 |
| ·SiC 的结晶学特性 | 第14页 |
| ·SiC 的物理化学性质 | 第14页 |
| ·SiC 的电学性质 | 第14-15页 |
| ·SiC 材料的应用 | 第15-16页 |
| ·SiC 材料的单晶生长 | 第16-19页 |
| ·Acheson 法 | 第16-17页 |
| ·LeIy 法 | 第17页 |
| ·籽晶升华法（改良的LeIy 方法） | 第17-19页 |
| ·外延生长法 | 第19页 |
| ·SiC 材料的相关工艺 | 第19-24页 |
| ·氧化 | 第19-21页 |
| ·掺杂 | 第21-22页 |
| ·光刻 | 第22-24页 |
| ·SiC 材料中的缺陷 | 第24-26页 |
| ·SiC 单晶中主要的缺陷及形成原因 | 第24页 |
| ·SiC 单晶的缺陷分析技术 | 第24-26页 |
| 第三章 半绝缘SiC 的概述 | 第26-30页 |
| ·半绝缘SiC 单晶体材料的制备方法 | 第26-27页 |
| ·半绝缘SiC 中的补偿机理 | 第27-28页 |
| ·半绝缘SiC 的性质及应用 | 第28-30页 |
| 第四章 SiC 材料电学参数测量 | 第30-36页 |
| ·霍尔测试法 | 第30-33页 |
| ·霍尔（Hall）效应及霍尔测试原理 | 第30-32页 |
| ·范德堡结构的基本原理 | 第32-33页 |
| ·石墨点接触法测电阻率 | 第33-36页 |
| 第五章 SiC 欧姆接触特性研究 | 第36-42页 |
| ·金属与半导体接触理论 | 第36-38页 |
| ·电子传输模型 | 第36-37页 |
| ·欧姆接触形成机理 | 第37-38页 |
| ·欧姆接触的制备工艺 | 第38-39页 |
| ·欧姆接触性能的评价标准 | 第39-42页 |
| ·I-V 特性 | 第39-40页 |
| ·传输线模型 | 第40-42页 |
| 第六章 测试及分析 | 第42-54页 |
| ·霍尔测量法 | 第42-50页 |
| ·实验材料及设备 | 第42页 |
| ·样品表面预处理 | 第42页 |
| ·欧姆接触制备工艺 | 第42-44页 |
| ·测试分析 | 第44-47页 |
| ·I-V 测试 | 第44-46页 |
| ·表面形貌及成分分析 | 第46-47页 |
| ·霍尔测试结果 | 第47-50页 |
| ·石墨接触点法 | 第50-51页 |
| ·测试结构 | 第50页 |
| ·测试结果 | 第50-51页 |
| ·结果分析 | 第51-54页 |
| ·光照条件与电阻率的关系实验 | 第51页 |
| ·电阻率与温度的关系 | 第51-52页 |
| ·电阻率的不均匀性 | 第52-54页 |
| 第七章 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 研究成果 | 第62页 |
